High purity p-type InP grown by LPE with rare-earth admixtures
The result's identifiers
Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F06%3A00043176" target="_blank" >RIV/67985882:_____/06:00043176 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternative languages
Result language
angličtina
Original language name
High purity p-type InP grown by LPE with rare-earth admixtures
Original language description
Specific features of rare-earth oxides (PrOx, TbOx, Tm2O3, Gd2O3, and Eu2O3) and Gd are employed to improve physical properties of InP LPE layers. The gettering effect of rare-earths (REs) was observed for all studied samples with variable purifying efficiency of individual REs species. The preferential donor gettering leads to conductivity conversion from n- to p-type for majority of the studied REs.
Czech name
Vysoce čistý InP typu p připravený kapalnou epitaxí s příměsí prvků vzácných zemin
Czech description
Osobité vlastnosti oxidů prvků vzácných zemin (PrOx, TbOx, Tm2O3, Gd2O3 a Eu2O3) a Gd byly využity pro zlepšení fyzikálních vlastností InP vrstev připravených kapalnou epitaxí. Getrační efekt vzácných zemin (REs) byl pozorován na všech studovaných vzorcích s rozdílným čistícím efektem jednotlivých REs. Přednostní getrování donorů vede ke změně vodivosti z typu n na p typ pro většinu studovaných REs.
Classification
Type
D - Article in proceedings
CEP classification
JA - Electronics and optoelectronics
OECD FORD branch
—
Result continuities
Project
<a href="/en/project/GA102%2F06%2F0153" target="_blank" >GA102/06/0153: Utilization of specific properties of rare earths in preparation of InP based radiation detector structures</a><br>
Continuities
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Others
Publication year
2006
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Data specific for result type
Article name in the collection
ASDAM'06. Conference Proceedings of the 6th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems
ISBN
1-4244-0396-0
ISSN
—
e-ISSN
—
Number of pages
4
Pages from-to
157-160
Publisher name
Slovak University of Technology in Bratislava
Place of publication
Bratislava
Event location
Smolenice
Event date
Oct 16, 2006
Type of event by nationality
WRD - Celosvětová akce
UT code for WoS article
—