Influence of the chemisorption state on the charge distribution of low energy Si scattered from I adatoms

Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F07%3A00086315" target="_blank" >RIV/67985882:_____/07:00086315 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Result language
angličtina
Original language name
Influence of the chemisorption state on the charge distribution of low energy Si scattered from I adatoms
Original language description
The ion fractions of 5 keV Si+ ions singly scattered from iodine adatoms adsorbed on Al(100), Si(111) and pre-oxidized Si(111) were measured with time-of-flight spectroscopy. The mechanism of ion formation is assigned to valence electron resonant chargetransfer (RCT) assisted by promotion of the Si ionization level.
Czech name
Vliv chemisorpčního stavu na nábojové rozdělení v nízkoenegetických Si iontech rozptýlených na I adatomech
Czech description
Zastoupení iontů ve svazku Si rozptýlených na I adatomech absorbovaných na Al(100), Si(100) a na oxidovaném Si(111) byly měřeny pomocí průletového spectrometru. Mechanismus formování iontů je vysvětlen pomocí přenosu valenčních elektronů podpořených zvedáním ionizační hladiny Si.

Project
<a href="/en/project/IAA1067401" target="_blank" >IAA1067401: Electron and ion emission from point contacts on solids</a>
Continuities
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP) Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ) V - Vyzkumna aktivita podporovana z jinych verejnych zdroju

Publication year
2007
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Similar results(10)