Influence of the chemisorption state on the charge distribution of low energy Si scattered from I adatoms

Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F07%3A00088895" target="_blank" >RIV/67985882:_____/07:00088895 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Result language
angličtina
Original language name
Influence of the chemisorption state on the charge distribution of low energy Si scattered from I adatoms
Original language description
Multiply charged ions are emitted following bombardment of Al(100) and Si(111) by low energy Si+ and P+ ions. The ion formation is attributed to inner-shell electron promotion during a hard collision between symmetric or nearly symmetric atomic species,followed by Auger decay outside the surface
Czech name
Vliv chemisorpčního stavu na nábojové rozdělení v nízkoenegetických Si iontech rozptýlených na I adatomech
Czech description
Mnohonásobně nabité ionty jsou emitovány během bombardování povrchu Al(100) a Si(111) nizkoenergetickými ionty Si a P. Vytváření těchto iontů je vysvětleno posuvem hladin vnitřních atomárních slupek při srážce mezi symetrickými a téměř symetrickými atomy, které je doprovázeno Auger rozpadem nad povrchem.

Project
<a href="/en/project/IAA1067401" target="_blank" >IAA1067401: Electron and ion emission from point contacts on solids</a>
Continuities
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP) Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ) V - Vyzkumna aktivita podporovana z jinych verejnych zdroju

Publication year
2007
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Similar results(10)