Controlled growth of porous networks in phosphide semiconductors

Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F08%3A00094674" target="_blank" >RIV/67985882:_____/08:00094674 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Result language
angličtina
Original language name
Controlled growth of porous networks in phosphide semiconductors
Original language description
A well organized network of CLO pores was revealed on (100) plane of InP illustrating the effectiveness of the electrochemical dissolution technique. The applied current /voltage was found to be the crucial parameter that affects the pore size, geometryand propagation towards the bulk material. TEM revealed that CLO pore formation initiates by merging of the smaller CO pores in the nucleation layer. Monitoring of the direction of pores by carefully designed etching, producing thus alternating arrays ofCLO and CO pores.
Czech name
Řízené vytváření sítě porů ve polovodivých fosfídech
Czech description
Vysoce samoorganizovaná síť CLO porů ilustrující efektivitu elektrochemického leptání byla vytvořena na (100) rovině InP. Aplikované napětí/proud má klíčový význam pro ladění rozměru, geometrie a směru šíření porů. TEM studium určilo v případě CLO porů jako nukleační mechanizmus splynutí menších CO porů. Monitorování směru porů v závislosti na parametrech leptání umožnilo vytvoření struktur se střídající se vrstvou CLO a různe orientovaných CO porů.

Type
J<sub>x</sub> - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)
CEP classification
BM - Solid-state physics and magnetism
OECD FORD branch
—

Project
Result was created during the realization of more than one project. More information in the Projects tab.
Continuities
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Publication year
2008
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Similar results(10)