Imaging of Dopants in Semiconductors with the Secondary Electrons in a Low Energy SEM

Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68081731%3A_____%2F06%3A00049016" target="_blank" >RIV/68081731:_____/06:00049016 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Result language
angličtina
Original language name
Imaging of Dopants in Semiconductors with the Secondary Electrons in a Low Energy SEM
Original language description
One of the crucial parameters in characterization of semiconductor devices is the dopant distribution profile. Details in both lateral and in-depth distributions of dopants fall at least in the same order of magnitude. Consequently, the device characterization becomes a non-trivial task. Two-dimensional dopant profiling in this study was made in the cathode lens equipped low energy scanning electron microscope.
Czech name
Zobrazení dopantu v polovodiči s pomocí sekundárních elektronů v LESEM
Czech description
Jedním z klíčových parametrů, které charakterizují polovodičovou součástku je profil dopantu. Dopování do hloubky je díky rozměrům detailů na čipu shodné s dopováním do stran. Z toho následně vyplývají i potíže při charakterizaci součástky. 2D profil dopantu byl zkoumán na mikroskopu vybaveném katodovou čočkou.

Publication year
2006
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Article name in the collection
Proceedings of the 10th International Seminar on Recent Trends in Charged Particle Optics and Surface Physics Instrumentation
ISBN
80-239-6285-X
ISSN
—
e-ISSN
—
Number of pages
2
Pages from-to
47-48
Publisher name
ISI AS CR
Place of publication
Brno
Event location
Skalský dvůr
Event date
May 22, 2006
Type of event by nationality
WRD - Celosvětová akce
UT code for WoS article
—

Similar results(10)