Dopant Contrast in Semiconductors as Interpretation Challenge at Imaging by Electrons

Result code in IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68081731%3A_____%2F07%3A00082251" target="_blank" >RIV/68081731:_____/07:00082251 - isvavai.cz</a>

Result on the web

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Result language

angličtina

Original language name

Dopant Contrast in Semiconductors as Interpretation Challenge at Imaging by Electrons

Original language description

Mechanisms responsible for the contrast between differently doped areas in semiconductors, which is observed in electron micrographs, is discussed as regards the key factors determining the sign and magnitude of the contrast. Experimental data obtained by means of the scanning electron microscope (SEM), scanning low energy electron microscope and photoelectron emission microscope are reviewed together with hints following from them for compilation of a model of the contrast mechanism.

Czech name

Kontrast dopantu jako interpretační problém při zobrazování elektrony

Czech description

Mechanismy zodpovědné za kontrast mezi různě dopovanými oblastmi polovodiče, pozorovaný v elektronově mikroskopických snímcích, jsou diskutovány z hlediska klíčových faktorů určujících znaménko a velikost kontrastu. Je podán přehled experimentálních datzískaných pomocí rastrovacího elektronového mikroskopu (REM), rastrovacího nízkoenergiového elektronového mikroskopu a fotoelektronového emisního mikroskopu, spolu s návody, které odtud vyplývají pro sestavení modelu kontrastního mechanismu.

Type

J_x - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)

CEP classification

JA - Electronics and optoelectronics

OECD FORD branch

—

Project

<a href="/en/project/GA202%2F04%2F0281" target="_blank" >GA202/04/0281: Mapping at a high spatial resolution of the local density of electron states via reflection of very slow electrons</a><br>

Continuities

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Publication year

2007

Confidentiality

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Name of the periodical

Materials Transactions

ISSN

1345-9678

e-ISSN

—

Volume of the periodical

48

Issue of the periodical within the volume

5

Country of publishing house

JP - JAPAN

Number of pages

4

Pages from-to

936-939

UT code for WoS article

—

EID of the result in the Scopus database

—