SMV-2019-04: Large-area nanostructures preparing
The result's identifiers
Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68081731%3A_____%2F19%3A00517212" target="_blank" >RIV/68081731:_____/19:00517212 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternative languages
Result language
čeština
Original language name
SMV-2019-04: Velkoplošné nanášení nanostruktur
Original language description
Vývoj sendvičových nanostruktur na dopovaném křemíkovém substrátu. Rozměry nanostruktur a jejich periodicita je na limitu rozměrů, které umožňuje připravit elektronový litograf Raith EBPG5000+. Na dopovaný křemíkový substrát byla připravena tenká nitridová vrstva jako maska pro následné leptání. Pomocí elektronové litografie a vakuového napařování byly nejdříve připraveny zlaté soukrytovací značky nutné pro provedení vícenásobné expozice. V dalším litografickém kroku byla naexponována maska v rezistu, přes kterou se pomocí reaktivního iontového leptání proleptala nitridová maska. Přes nitridovou masku došlo k vyleptání pyramid v křemíku. V třetím litografickém kroku byla pomocí různých strategií zápisu připravena druhá maska pro napaření hliníkové vrstvy v místech dříve vyleptaných pyramid. Proces byl dokončen provedením lift-off techniky okolní plochy.
Czech name
SMV-2019-04: Velkoplošné nanášení nanostruktur
Czech description
Vývoj sendvičových nanostruktur na dopovaném křemíkovém substrátu. Rozměry nanostruktur a jejich periodicita je na limitu rozměrů, které umožňuje připravit elektronový litograf Raith EBPG5000+. Na dopovaný křemíkový substrát byla připravena tenká nitridová vrstva jako maska pro následné leptání. Pomocí elektronové litografie a vakuového napařování byly nejdříve připraveny zlaté soukrytovací značky nutné pro provedení vícenásobné expozice. V dalším litografickém kroku byla naexponována maska v rezistu, přes kterou se pomocí reaktivního iontového leptání proleptala nitridová maska. Přes nitridovou masku došlo k vyleptání pyramid v křemíku. V třetím litografickém kroku byla pomocí různých strategií zápisu připravena druhá maska pro napaření hliníkové vrstvy v místech dříve vyleptaných pyramid. Proces byl dokončen provedením lift-off techniky okolní plochy.
Classification
Type
V<sub>souhrn</sub> - Summary research report
CEP classification
—
OECD FORD branch
21002 - Nano-processes (applications on nano-scale); (biomaterials to be 2.9)
Result continuities
Project
—
Continuities
N - Vyzkumna aktivita podporovana z neverejnych zdroju
Others
Publication year
2019
Confidentiality
C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.
Data specific for result type
Number of pages
5
Place of publication
Brno
Publisher/client name
Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií VUT
Version
—