Experimental and theoretical study of the I-V bistabilities of resonant tunneling diodes

Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F04%3A00023779" target="_blank" >RIV/68378271:_____/04:00023779 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Result language
angličtina
Original language name
Experimental and theoretical study of the I-V bistabilities of resonant tunneling diodes
Original language description
Experimental and teoretical analysis of DC behaviour of MBE-grown resonant tunneling diods with variing barrier hight and width, is presented. Own theoretical model of behaviour of RTD diods, based on transfer matrix method, is developed
Czech name
Experimentální a teoretická studie I-V bistabilit u rezonančních tunelovacích
Czech description
Experimentální a teoretická analýza stejnosměrného chování rezonančních tunelových diod GaAs/AlGaAs, připravených pomocí MBE s proměnnou výškou a šířkou bariér. I-V charakteristiky měřeny při různých teplotách. Vyvinut vlastní teoretický model chování RTD diod, založený na metodě transfer matice

Project
<a href="/en/project/IBS1010004" target="_blank" >IBS1010004: Technological laboratory for growth and processing of semiconductor GaAs/GaAlAs heterostructures including quantum devices</a><br>
Continuities
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Publication year
2004
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Article name in the collection
Proceedings of the International Conference of Microelectronics /24./
ISBN
0-7803-8166-1
ISSN
—
e-ISSN
—
Number of pages
4
Pages from-to
359-362
Publisher name
IEEE
Place of publication
Piscataway
Event location
Niš
Event date
May 16, 2004
Type of event by nationality
WRD - Celosvětová akce
UT code for WoS article
—

Similar results(10)