Thin-film silicon solar cell technology

Result code in IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F04%3A00100472" target="_blank" >RIV/68378271:_____/04:00100472 - isvavai.cz</a>

Result on the web

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Result language

angličtina

Original language name

Thin-film silicon solar cell technology

Original language description

This paper describes the use, within p-i-n-and n-i-p-type solar cells, of hydrogenated amorphous silicon(a-Si:H) and hydrogenated microcrystalline silicon (?c:H) thin films (layers), both deposited at low temperatures (200oC) by plasma-assisted chemicalvapour deposition (PECVD), from a mixture of silane and hydrogen

Czech name

Technologie slunečních článků na bázi tenkých křemíkových vrstev

Czech description

Článek popisuje použití tenkých vrstev hydrogenovaného amorfního a mikrokrystalického křemíku pro solární články typu p-i-n a n-i-p, deponovaných při nízkých teplotách (200oC) ze silanu a vodíku metodou PECVD

Type

J_x - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)

CEP classification

BM - Solid-state physics and magnetism

OECD FORD branch

—

Project

<a href="/en/project/SN%2F320%2F11%2F03" target="_blank" >SN/320/11/03: Research and Pilot Project for Building Integration of Solar Modules.</a><br>

Continuities

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Publication year

2004

Confidentiality

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Name of the periodical

Progress in Photovoltaics

ISSN

1062-7995

e-ISSN

—

Volume of the periodical

12

Issue of the periodical within the volume

-

Country of publishing house

US - UNITED STATES

Number of pages

30

Pages from-to

113-142

UT code for WoS article

—

EID of the result in the Scopus database

—