Elastic electron backscattering from silicon surfaces: effect of charge-carrier concentration
The result's identifiers
Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F04%3A00104231" target="_blank" >RIV/68378271:_____/04:00104231 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternative languages
Result language
angličtina
Original language name
Elastic electron backscattering from silicon surfaces: effect of charge-carrier concentration
Original language description
Silicon wafers, p- and n-doped with different free-carrier charge concentrations, were selected as model materials to study a possible influence of charge-carrier concentrations (or electrical conductivity) on measured elastic electron backscattering probabilities and electron inelastic mean free paths determined by elastic peak electron spectroscopy
Czech name
Pružný odraz elektronů od povrchu křemíku: vliv koncentrace nosičů náboje
Czech description
Křemík p a n typu o různé koncentraci nosičů náboje byl vybrán jako modelový materiál ke studiu možného vlivu koncentrace nosičů náboje na pravděpodobnost pružného rozptylu elektronů a na hodnoty střední neelastické volné dráhy získané pomocí spektroskopie elastického píku
Classification
Type
J<sub>x</sub> - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)
CEP classification
BM - Solid-state physics and magnetism
OECD FORD branch
—
Result continuities
Project
<a href="/en/project/GA202%2F02%2F0237" target="_blank" >GA202/02/0237: Electron transport processes near solid surfaces</a><br>
Continuities
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Others
Publication year
2004
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Data specific for result type
Name of the periodical
Surface and Interface Analysis
ISSN
0142-2421
e-ISSN
—
Volume of the periodical
36
Issue of the periodical within the volume
-
Country of publishing house
GB - UNITED KINGDOM
Number of pages
3
Pages from-to
809-811
UT code for WoS article
—
EID of the result in the Scopus database
—