Effect of hydrogen passivation on polycrystalline silicon thin films

Result code in IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F05%3A00028425" target="_blank" >RIV/68378271:_____/05:00028425 - isvavai.cz</a>

Result on the web

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Result language

angličtina

Original language name

Effect of hydrogen passivation on polycrystalline silicon thin films

Original language description

We have observed that remote plasma hydrogenation with duration up to 30 min. effectively passivated the defects and improved the Hall mobility, trap density and hydrogenation not only pasivated defects but also created new defects in the grain

Czech name

Efekt pasivace vodíkem na polykrystalické křemíkové tenké vrstvy

Czech description

Pozorovali jsme, že hydrogenace vodíkovým plazmatem po dobu 30 min efektivně pasivovala defekty a zlepšila Hallovou pohyblivost, hustotu záchytu náboje a intenzitu fotoluminescence. Zdá se, že nadměrná hydrogenace nejen pasivovala defekty, ale také vytvořila nové uvnitř zrn

Type

J_x - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)

CEP classification

BM - Solid-state physics and magnetism

OECD FORD branch

—

Project

Result was created during the realization of more than one project. More information in the Projects tab.

Continuities

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Publication year

2005

Confidentiality

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Name of the periodical

Thin Solid Films

ISSN

0040-6090

e-ISSN

—

Volume of the periodical

487

Issue of the periodical within the volume

-

Country of publishing house

CH - SWITZERLAND

Number of pages

5

Pages from-to

152-156

UT code for WoS article

—

EID of the result in the Scopus database

—