Defects generation by hydrogen passivation of polycrystalline silicon thin films

Result code in IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F06%3A00040694" target="_blank" >RIV/68378271:_____/06:00040694 - isvavai.cz</a>

Alternative codes found

RIV/61389005:_____/06:00040694

Result on the web

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Result language

angličtina

Original language name

Defects generation by hydrogen passivation of polycrystalline silicon thin films

Original language description

We have observed that plasma hydrogenation with duration up to 30 min effectively passivated the defects and improved photoluminescence intensity, over 60 min of hydrogenation, results indicate that hydrogen created new defects

Czech name

Generování defektů v polykrystalických křemíkových vrstvách při pasivaci vodíkem

Czech description

Pozorovali jsme, že hydrogenování v plazmatu s trváním do 30 min. efektivně pasivovalo defekty a zlepšilo intenzitu fotoluminescence, pro hydrogenaci delší než 60 min. Výsledky naznačují, že vodík vytvořil nové defekty

Type

J_x - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)

CEP classification

BM - Solid-state physics and magnetism

OECD FORD branch

—

Project

Result was created during the realization of more than one project. More information in the Projects tab.

Continuities

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Publication year

2006

Confidentiality

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Name of the periodical

Solar Energy

ISSN

0038-092X

e-ISSN

—

Volume of the periodical

80

Issue of the periodical within the volume

-

Country of publishing house

NL - THE KINGDOM OF THE NETHERLANDS

Number of pages

5

Pages from-to

653-657

UT code for WoS article

—

EID of the result in the Scopus database

—