Magnetoresistance oscillations in GaAs/AlGaAs superlattices subject to in-plane magnetic fields

Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F06%3A00041076" target="_blank" >RIV/68378271:_____/06:00041076 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Result language
angličtina
Original language name
Magnetoresistance oscillations in GaAs/AlGaAs superlattices subject to in-plane magnetic fields
Original language description
The MBE-grown GaAs/AlGaAs superlattice with Si-doped barriers has been used to study a 3D-> 2D transition under the influence of the in-plane component of an applied magnetic field. Positions of van Hove singularities in the DOS agree excellenty with magnetoresistance oscillations confirming a simple tight-binding model describes adequately the magnetoresistance of strongly coupled semiconductor superlattices.
Czech name
Oscilace magnetorezistence v supermřížkách GaAs/AlGaAs v paralelním magnetickém poli
Czech description
Supermřížka GaAs/AlGaAs vypěstovaná technologií MBE byla využita ke studiu 3D - 2D přechodu pod vlivem paralelní složky vnějšího magnetického pole. Výsledky experimentu velmi dobře souvisí s výpočty hustoty stavů pomocí jednoduchého modelu těsné vazby.

Type
J<sub>x</sub> - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)
CEP classification
BM - Solid-state physics and magnetism
OECD FORD branch
—

Project
<a href="/en/project/IAA1010408" target="_blank" >IAA1010408: Magnetotransport in nanoscale (short-period) semiconductor superlattices</a><br>
Continuities
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Publication year
2006
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Similar results(10)