Valence band photoemission from in-situ grown GaAs(100)-c(4 × 4)

Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F06%3A00041322" target="_blank" >RIV/68378271:_____/06:00041322 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Result language
angličtina
Original language name
Valence band photoemission from in-situ grown GaAs(100)-c(4 × 4)
Original language description
In contrast to earlier measurements of thos kind, two major differences have been found:(i) clearly developed surface state peak just below the top of the valence band, (ii) absence of a large peak in the electron energy distribution at around - 6.5 eV below the valence band top
Czech name
Fotoemise z valenčního pásu GaAs(100)-c(4X4) připraveného in-situ
Czech description
Pomocí fotoelektronové spektroskopie použitím fotonů o energii 20 - 40 eV byla studována elektronová struktura GaAs(100)-c(4x4). Oproti dřívějším měřením tohoto materiálu byly zjištěny dva rozdíly: (i) byl zaznamenán jasný pík povrchového stavu těsně podvrcholem valenčního pásu, (ii) nebyl detekován velký pík okolo energie -6,5 eV pod vrcholem valenčního pásu

Type
J<sub>x</sub> - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)
CEP classification
BM - Solid-state physics and magnetism
OECD FORD branch
—

Project
<a href="/en/project/GA202%2F04%2F0994" target="_blank" >GA202/04/0994: Crystallography, electron and magnetic structure of GaAs nanolayer surfaces prepared by low-temperature molecular beam epitaxy</a><br>
Continuities
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Publication year
2006
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Similar results(10)