Deep defects in MOVPE grown SiC/AlGaN/GaN heterostructures

Result code in IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F06%3A00043491" target="_blank" >RIV/68378271:_____/06:00043491 - isvavai.cz</a>

Result on the web

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Result language

angličtina

Original language name

Deep defects in MOVPE grown SiC/AlGaN/GaN heterostructures

Original language description

Heterostructures SiC/AlGaN/GaN were investigated by the DLTS Metod in order to correlate activation energie of deep levels with AlGaN layer composition and 4H-SiC substráte orientation.

Czech name

Hluboké defekty v heterostrukturách SiC/AlGaN/GaN připravených metodou MOVPE

Czech description

Heterostruktury SiC/AlGaN/GaN byly zkoumány metodou DLTS s cílem najít souvislost mezi aktivační energií hlubokých hladin a složením vrstvy AlGaN, případně orientací substrátu 4H-SiC

Type

D - Article in proceedings

CEP classification

BM - Solid-state physics and magnetism

OECD FORD branch

—

Project

<a href="/en/project/IAA1010404" target="_blank" >IAA1010404: Influence of external fields on low-dimensional electron structures</a><br>

Continuities

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Publication year

2006

Confidentiality

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Article name in the collection

ASDAM´06

ISBN

1-4244-0396-0

ISSN

—

e-ISSN

—

Number of pages

4

Pages from-to

51-54

Publisher name

IEEE

Place of publication

Danvers, MA

Event location

Smolenice Castle

Event date

Oct 16, 2006

Type of event by nationality

WRD - Celosvětová akce

UT code for WoS article

—