Method of producing an epitaxial structure with InGaN quantum wells
The result's identifiers
Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F19%3A00519846" target="_blank" >RIV/68378271:_____/19:00519846 - isvavai.cz</a>
Result on the web
<a href="https://isdv.upv.cz/doc/FullFiles/Patents/FullDocuments/308/308024.pdf" target="_blank" >https://isdv.upv.cz/doc/FullFiles/Patents/FullDocuments/308/308024.pdf</a>
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternative languages
Result language
čeština
Original language name
Způsob výroby epitaxní struktury s InGaN kvantovými jamami
Original language description
Vynález se týká způsobu přípravy InGaN kvantových jam (QW) pomocí organokovové epitaxe nebo epitaxe z molekulárních svazků. Podstata vynálezu spočívá ve způsobu překrývání InGaN tenkých vrstev (QW), které brání nežádoucí desorpci In z InGaN vrstvy a navíc má takto připravené rozhraní dokonalejší krystalografickou strukturu. Překryv InGaN kvantových jam probíhá bez přerušení růstu během procesu zvyšování teploty na teplotu nutnou pro kvalitní růst bariérové, nejčastěji GaN vrstvy. Při růstu krycí vrstvy může být do reaktoru s výhodou přidáváno malé množství In, čímž je ještě účinněji bráněno desorpci In z InGaN QW. Zvýšení koncentrace InN složky v QW způsobem podle tohoto vynálezu je čtyřnásobné, jak bylo ukázáno na výsledcích měření metodou hmotnostní spektroskopie sekundárně odprášených iontů s vysokým hloubkovým rozlišením. Struktury s takto připraveným rozhraním mají několikanásobně vyšší intenzitu luminiscence.
Czech name
Způsob výroby epitaxní struktury s InGaN kvantovými jamami
Czech description
Vynález se týká způsobu přípravy InGaN kvantových jam (QW) pomocí organokovové epitaxe nebo epitaxe z molekulárních svazků. Podstata vynálezu spočívá ve způsobu překrývání InGaN tenkých vrstev (QW), které brání nežádoucí desorpci In z InGaN vrstvy a navíc má takto připravené rozhraní dokonalejší krystalografickou strukturu. Překryv InGaN kvantových jam probíhá bez přerušení růstu během procesu zvyšování teploty na teplotu nutnou pro kvalitní růst bariérové, nejčastěji GaN vrstvy. Při růstu krycí vrstvy může být do reaktoru s výhodou přidáváno malé množství In, čímž je ještě účinněji bráněno desorpci In z InGaN QW. Zvýšení koncentrace InN složky v QW způsobem podle tohoto vynálezu je čtyřnásobné, jak bylo ukázáno na výsledcích měření metodou hmotnostní spektroskopie sekundárně odprášených iontů s vysokým hloubkovým rozlišením. Struktury s takto připraveným rozhraním mají několikanásobně vyšší intenzitu luminiscence.
Classification
Type
P - Patent
CEP classification
—
OECD FORD branch
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Result continuities
Project
<a href="/en/project/TH02010580" target="_blank" >TH02010580: Fast displaying screen for ionizing, UV and EUV radiation</a><br>
Continuities
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Others
Publication year
2019
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Data specific for result type
Patent/design ID
308024
Publisher
CZ001 -
Publisher name
Industrial Property Office
Place of publication
Prague
Publication country
CZ - CZECH REPUBLIC
Date of acceptance
Sep 18, 2019
Owner name
Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
Method of use
A - Výsledek využívá pouze poskytovatel
Usage type
A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence