All

What are you looking for?

All
Projects
Results
Organizations

Quick search

  • Projects supported by TA ČR
  • Excellent projects
  • Projects with the highest public support
  • Current projects

Smart search

  • That is how I find a specific +word
  • That is how I leave the -word out of the results
  • “That is how I can find the whole phrase”

Implementation of SiC inverter for high frequency, medium voltage applications

The result's identifiers

  • Result code in IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21220%2F15%3A00230163" target="_blank" >RIV/68407700:21220/15:00230163 - isvavai.cz</a>

  • Result on the web

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternative languages

  • Result language

    čeština

  • Original language name

    Frekvenční měnič s SiC MOSFET prvky pro vysokofrekvenční

  • Original language description

    V tomto článku je popsán vyvíjený frekvenční měnič s SiC MOSFET prvky (1200V, 50A) pro vysokofrekvenční stroje. V porovnání s Si IGBT vykazují SiC MOSFET prvky menší ztráty a celé zařízení pak větší účinnost. V článku je provedeno srovnání jednak na základě katalogových údajů, jednak pomocí experimentu. Experiment potvrdil výrazně menší ztráty celého zařízení. V článku je dále řešen problém správného nastavení budiče pro omezení překmitu napětí na řídicí elektrodě SiC tranzistoru a problematika kmitání výstupního napětí způsobená parazitními indukčnostmi ve výkonovém obvodu.

  • Czech name

    Frekvenční měnič s SiC MOSFET prvky pro vysokofrekvenční

  • Czech description

    V tomto článku je popsán vyvíjený frekvenční měnič s SiC MOSFET prvky (1200V, 50A) pro vysokofrekvenční stroje. V porovnání s Si IGBT vykazují SiC MOSFET prvky menší ztráty a celé zařízení pak větší účinnost. V článku je provedeno srovnání jednak na základě katalogových údajů, jednak pomocí experimentu. Experiment potvrdil výrazně menší ztráty celého zařízení. V článku je dále řešen problém správného nastavení budiče pro omezení překmitu napětí na řídicí elektrodě SiC tranzistoru a problematika kmitání výstupního napětí způsobená parazitními indukčnostmi ve výkonovém obvodu.

Classification

  • Type

    D - Article in proceedings

  • CEP classification

    JA - Electronics and optoelectronics

  • OECD FORD branch

Result continuities

  • Project

  • Continuities

    S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Others

  • Publication year

    2015

  • Confidentiality

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Data specific for result type

  • Article name in the collection

    Sborník XXXIV. celostátní konferenci elektrické pohony

  • ISBN

    978-80-02-02592-4

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Number of pages

    6

  • Pages from-to

    1-6

  • Publisher name

    Západočeská univerzita v Plzni

  • Place of publication

    Plzeň

  • Event location

    Plzeň

  • Event date

    Jun 9, 2015

  • Type of event by nationality

    CST - Celostátní akce

  • UT code for WoS article