Fabrication od Devices and Sensors Based on Silicon-on-Insulator Technology

Result code in IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F08%3A03147704" target="_blank" >RIV/68407700:21230/08:03147704 - isvavai.cz</a>

Result on the web

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Result language

angličtina

Original language name

Fabrication od Devices and Sensors Based on Silicon-on-Insulator Technology

Original language description

This paper introduces the fabrication process of the sensors and other passive elements based on SOI technology. Simple passive elements (strain sensitive resistors - piezoresistors) were fabricated on SIMOX SOI substrates. Planar inductors and capacitors were fabricated on standard Si/SiO2 substrates with sputtered AlCuSi metallization. Basic parameter extraction and their temperature dependence were performed.

Czech name

Výroba struktur a senzorů v technologii Silicon-on-Insulator

Czech description

Článek se zabývá procesem výroby senzorů a pasivních prvků v SOI technologii. Jednoduché tenzometry byly vyrobeny na SIMOX SOI substrátech. Planární induktory a kapacitory byly vyrobeny na Si/SiO2 substrátech s naprášenou AlCuSi metalizací. Zjišťovala seteplotní závislost základních parametrů.

Type

D - Article in proceedings

CEP classification

JB - Sensors, detecting elements, measurement and regulation

OECD FORD branch

—

Project

—

Continuities

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Publication year

2008

Confidentiality

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Article name in the collection

Electronics Devices and Systems Proceedings

ISBN

978-80-214-3717-3

ISSN

—

e-ISSN

—

Number of pages

4

Pages from-to

—

Publisher name

Vysoké učení technické v Brně

Place of publication

Brno

Event location

Brno

Event date

Sep 10, 2008

Type of event by nationality

EUR - Evropská akce

UT code for WoS article

—