Functional sample of pixelated silicon detector sensor
The result's identifiers
Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F16%3A00303864" target="_blank" >RIV/68407700:21230/16:00303864 - isvavai.cz</a>
Alternative codes found
RIV/68407700:21340/16:00303864
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternative languages
Result language
angličtina
Original language name
Functional sample of pixelated silicon detector sensor
Original language description
Functional sample of pixelated silicon detector sensor. It contains 256 pixels arranged in a matrix of 16x16 pixels, each pixel is 1mm x 1mm large. It is manufactured on a high-resistivity p-type silicon wafer. It is designed primarily for X and gamma ray detection, but it can also be successfully applied for neutron detection with additional 6LiF conversion layer. Since it is pixelated sensor with 2D structures, it is DC coupled to the readout electronics. It contains an extensive guard ring structure, insulated floating p-stops between pixels. Back side is implanted with boron and metalized.
Czech name
—
Czech description
—
Classification
Type
G<sub>funk</sub> - Functional sample
CEP classification
JB - Sensors, detecting elements, measurement and regulation
OECD FORD branch
—
Result continuities
Project
<a href="/en/project/TE01020069" target="_blank" >TE01020069: Advanced Detection Systems of Ionizing Radiation</a><br>
Continuities
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Others
Publication year
2016
Confidentiality
C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.
Data specific for result type
Internal product ID
TE01020069-2016V009
Numerical identification
TE01020069-2016V009
Technical parameters
Sensor die size is 18.06x18.06 mm^2 with a pixel matrix of 16x16 pixels, each pixel is 1mm x 1mm large. The voltage of full depletion was measured to be 145V. Capacitance of the channel is 0.15 pF. Sensor thickness is 525 microns, resulting dark current with 15 kOhmcm wafer resistivity is about 6 nA/cm^2 at room temperature.
Economical parameters
Funkční vzorek je jedním z výstupů projektu č.TE01020069 "Progresivní detekční systémy ionizujícího záření" (Centrum kompetence).
Application category by cost
—
Owner IČO
68407700
Owner name
Fakulta jaderná a fyzikálně inženýrská
Owner country
CZ - CZECH REPUBLIC
Usage type
A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence
Licence fee requirement
A - Poskytovatel licence na výsledek požaduje licenční poplatek
Web page
—