Long-wavelength Emission of Quantum Dots

Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21340%2F08%3A04151356" target="_blank" >RIV/68407700:21340/08:04151356 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Result language
angličtina
Original language name
Long-wavelength Emission of Quantum Dots
Original language description
This contribution deals with semiconductor heterostructures with self-organized InAs/GaAs quantum dots (QDs). These heterostructures seem to be very perspective for many possible device applications. Measured QDs structures were prepared on semi-insulating GaAs substrates using metal-organic vapor epitaxy. The dependence of photoluminiscence intensity on the emission wavelenght was measured at room temperature. Samples were excited by semiconductor laser operating at 670 nm.
Czech name
Dlouhovlnná emise kvantových teček
Czech description
Příspěvek se zabývá polovodičovými heterostrukturami InAs/GaAs ve formě kvantových teček. Tyto heterostruktury jsou velmi perspektivní pro řadu možných aplikací. Měřené struktury byly připraveny na semiizolačním GaAs metodou organokovové plynné epitaxe.Byla měřena závislost intenzity fotoluminiscence na vlnové délce emitovaného záření při pokojové teplotě. Vzorky byly excitovány polovodičovým laserem pracujícím na vlnové délce 670 nm.

Publication year
2008
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Similar results(10)