Heat shaped silicon lamellas for precise X-ray optics
The result's identifiers
Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21340%2F14%3A00241809" target="_blank" >RIV/68407700:21340/14:00241809 - isvavai.cz</a>
Alternative codes found
RIV/60461373:22310/14:43898451 RIV/68407700:21230/14:00241809
Result on the web
<a href="http://spisy.upv.cz/Patents/FullDocuments/304/304312.pdf" target="_blank" >http://spisy.upv.cz/Patents/FullDocuments/304/304312.pdf</a>
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternative languages
Result language
čeština
Original language name
Tepelně tvarované křemíkové plátky pro přesnou rentgenovou optiku
Original language description
Tepelně tvarované křemíkové plátky pro přesnou rentgenovou optiku, připravitelné tvarováním z výchozích rovinných monokrystalických křemíkových plátků (1) zahříváním z teploty okolí na tvarovací teplotu v rozmezí 1200 až 1400 °C s výdrží na konstantní teplotě po dobu 1 minuty až 6 hodin a poté ochlazením, přičemž tvarování, zahřívání i ochlazování je prováděno v ochranné atmosféře samotného vodíku nebo v ochranné atmosféře směsi kyslíku s argonem, nebo kyslíku s dusíkem při parciálním tlaku kyslíku v rozmezí 1.10-8 Pa až 21 kPa, a při současném působení přítlačnou silou v rozpětí 1 až 200 N, kde každý monokrystalický výchozí křemíkový plátek (1) a) je předem dopovaný alespoň jedním prvkem ze skupiny, zahrnující bor, fosfor, arsen a antimon, v množstvído 1,8.1021 atomů v jednom cm3 materiálu výchozího monokrystalického křemíkového plátku; b) vykazuje rovinnost pod 10 .mi.m; c) má tloušťku pod 0,8 mm; d) má krystalografickou orientaci <100> nebo <111>; e) má střední hodnotu mikrodrsnost
Czech name
Tepelně tvarované křemíkové plátky pro přesnou rentgenovou optiku
Czech description
Tepelně tvarované křemíkové plátky pro přesnou rentgenovou optiku, připravitelné tvarováním z výchozích rovinných monokrystalických křemíkových plátků (1) zahříváním z teploty okolí na tvarovací teplotu v rozmezí 1200 až 1400 °C s výdrží na konstantní teplotě po dobu 1 minuty až 6 hodin a poté ochlazením, přičemž tvarování, zahřívání i ochlazování je prováděno v ochranné atmosféře samotného vodíku nebo v ochranné atmosféře směsi kyslíku s argonem, nebo kyslíku s dusíkem při parciálním tlaku kyslíku v rozmezí 1.10-8 Pa až 21 kPa, a při současném působení přítlačnou silou v rozpětí 1 až 200 N, kde každý monokrystalický výchozí křemíkový plátek (1) a) je předem dopovaný alespoň jedním prvkem ze skupiny, zahrnující bor, fosfor, arsen a antimon, v množstvído 1,8.1021 atomů v jednom cm3 materiálu výchozího monokrystalického křemíkového plátku; b) vykazuje rovinnost pod 10 .mi.m; c) má tloušťku pod 0,8 mm; d) má krystalografickou orientaci <100> nebo <111>; e) má střední hodnotu mikrodrsnost
Classification
Type
P - Patent
CEP classification
BH - Optics, masers and lasers
OECD FORD branch
—
Result continuities
Project
<a href="/en/project/IAAX01220701" target="_blank" >IAAX01220701: Material and X-Ray Optical Properties of Formed Silicon Monocrystals</a><br>
Continuities
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Others
Publication year
2014
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Data specific for result type
Patent/design ID
304312
Publisher
CZ001 -
Publisher name
Industrial Property Office
Place of publication
Prague
Publication country
CZ - CZECH REPUBLIC
Date of acceptance
Jan 15, 2014
Owner name
České vysoké učení technické v Praze Fakulta jaderná a fyzikálně inženýrská; Vysoká škola chemicko - technologická v Praze
Method of use
A - Výsledek využívá pouze poskytovatel
Usage type
N - Využití výsledku jiným subjektem je možné bez nabytí licence (výsledek není licencován)