Method of heat molding silicon wafers for precise X-ray optics
The result's identifiers
Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21340%2F14%3A00241817" target="_blank" >RIV/68407700:21340/14:00241817 - isvavai.cz</a>
Alternative codes found
RIV/60461373:22310/14:43898454 RIV/68407700:21230/14:00241817
Result on the web
<a href="http://spisy.upv.cz/Patents/FullDocuments/304/304298.pdf" target="_blank" >http://spisy.upv.cz/Patents/FullDocuments/304/304298.pdf</a>
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternative languages
Result language
čeština
Original language name
Způsob tepelného tvarování křemíkových plátků pro přesnou rentgenovou optiku
Original language description
Tepelné tvarování se provádí plastickou deformací z rovinných monokrystalických výchozích křemíkových plátků (1), kde každý výchozí křemíkový plátek (1) se připraví z materiálu, který se předem dopuje alespoň jedním prvkem ze skupiny, zahrnující bor, fosfor, arsen, antimon, v množství do 1,8.1021 atomů v jednom cm3 materiálu monokrystalického výchozího křemíkového Si plátku (1). Každý výchozí křemíkový Si plátek (1) vykazuje rovinnost pod 10 .mi.m; tloušťku 0,2 až 0,8 mm; krystalografickou orientaci <100> nebo <111>; a střední hodnotu mikrodrsnosti Ra povrchu 0,2 až 0,6 nm na funkčním odrazovém povrchu. Každý takovýto monokrystalický výchozí křemíkový plátek (1) se zahřívá z teploty okolí na tvarovací teplotu v rozmezí 1200 až 1400 °C s výdrží na konstantní teplotě po dobu 1 minuty až 6 hodin a poté se ochladí, což se provádí v ochranné atmosféře s parciálním tlakem kyslíku v rozmezí 1.10-8 Paaž 21 kPa nebo v ochranné atmosféře samotného čistého vodíku. Po celou tuto dobu se na výchozí
Czech name
Způsob tepelného tvarování křemíkových plátků pro přesnou rentgenovou optiku
Czech description
Tepelné tvarování se provádí plastickou deformací z rovinných monokrystalických výchozích křemíkových plátků (1), kde každý výchozí křemíkový plátek (1) se připraví z materiálu, který se předem dopuje alespoň jedním prvkem ze skupiny, zahrnující bor, fosfor, arsen, antimon, v množství do 1,8.1021 atomů v jednom cm3 materiálu monokrystalického výchozího křemíkového Si plátku (1). Každý výchozí křemíkový Si plátek (1) vykazuje rovinnost pod 10 .mi.m; tloušťku 0,2 až 0,8 mm; krystalografickou orientaci <100> nebo <111>; a střední hodnotu mikrodrsnosti Ra povrchu 0,2 až 0,6 nm na funkčním odrazovém povrchu. Každý takovýto monokrystalický výchozí křemíkový plátek (1) se zahřívá z teploty okolí na tvarovací teplotu v rozmezí 1200 až 1400 °C s výdrží na konstantní teplotě po dobu 1 minuty až 6 hodin a poté se ochladí, což se provádí v ochranné atmosféře s parciálním tlakem kyslíku v rozmezí 1.10-8 Paaž 21 kPa nebo v ochranné atmosféře samotného čistého vodíku. Po celou tuto dobu se na výchozí
Classification
Type
P - Patent
CEP classification
BH - Optics, masers and lasers
OECD FORD branch
—
Result continuities
Project
<a href="/en/project/IAAX01220701" target="_blank" >IAAX01220701: Material and X-Ray Optical Properties of Formed Silicon Monocrystals</a><br>
Continuities
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Others
Publication year
2014
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Data specific for result type
Patent/design ID
304298
Publisher
CZ001 -
Publisher name
Industrial Property Office
Place of publication
Prague
Publication country
CZ - CZECH REPUBLIC
Date of acceptance
Jan 8, 2014
Owner name
České vysoké učení technické v Praze Fakulta jaderná a fyzikálně inženýrská; Vysoká škola chemicko - technologická v Praze
Method of use
A - Výsledek využívá pouze poskytovatel
Usage type
N - Využití výsledku jiným subjektem je možné bez nabytí licence (výsledek není licencován)