Optimization of resist properties for STL using two photon absorption
The result's identifiers
Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F70883521%3A28610%2F19%3A63524558" target="_blank" >RIV/70883521:28610/19:63524558 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternative languages
Result language
čeština
Original language name
Optimalizace vlastností rezistu pro STL využívající dvou-fotonový záchyt
Original language description
Předmětem zakázky bylo vytvoření rešerše k materiálům vhodným k použití pro dvou-fotonový záchyt, příprava vzorků rezistů pro mikro a nanotechnologii s vhodnou koncentrací fotoiniciátorů a quencherů a měření optických vlastností připravených směsí.
Czech name
Optimalizace vlastností rezistu pro STL využívající dvou-fotonový záchyt
Czech description
Předmětem zakázky bylo vytvoření rešerše k materiálům vhodným k použití pro dvou-fotonový záchyt, příprava vzorků rezistů pro mikro a nanotechnologii s vhodnou koncentrací fotoiniciátorů a quencherů a měření optických vlastností připravených směsí.
Classification
Type
V<sub>souhrn</sub> - Summary research report
CEP classification
—
OECD FORD branch
21002 - Nano-processes (applications on nano-scale); (biomaterials to be 2.9)
Result continuities
Project
—
Continuities
N - Vyzkumna aktivita podporovana z neverejnych zdroju
Others
Publication year
2019
Confidentiality
C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.
Data specific for result type
Number of pages
43
Place of publication
—
Publisher/client name
IQS nano, s.r.o.
Version
—