Filters
orig. je anglicky
orig. je anglicky...
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 1997 •
- Jx
Rok uplatnění
Jx - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
Latest developments in minimally invasive spinal treatment in Slovakia and its comparison with an open approach for the treatment of lumbar degenerative diseases
General and internal medicine
- 2023 •
- Jimp •
- Link
Rok uplatnění
Jimp - Článek v periodiku v databázi Web of Science
Výsledek na webu
Budící obvody pro MOSFETový měnič
Toto zařízení zajišťuje správné a rychlé zapínání a vypínání MOSFET tranzistorů.
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
- 2011 •
- Gfunk
Rok uplatnění
Gfunk - Funkční vzorek
Doporučení pro využívání lehkýc zatěžovacích zkoušek - statické zatěžovací zkoušky (SZZ) a zkoušky lehkou dynamickou deskou (LDD) a jejich korelace při výstavbě PK
Používání statické zatěžovací zkoušky (SZZ) je pro posuzování únosnosti podloží a určování míry zhutnění a jejich korelace při výstavbě PK určeno předpisy SJPK MD ČR. Zkouška lehkou dynamickou deskou (LDD) je zde v jejím používání značně ome...
JS - Řízení spolehlivosti a kvality, zkušebnictví
- 2012 •
- NmetC
Rok uplatnění
NmetC - Metodiky certifikované oprávněným orgánem
Výpočet chyby přenosu MOSFET spínače.
Jednoduchá rovnice pro popis chyby impedance MOSFET spínače...
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
- 2005 •
- D
Rok uplatnění
D - Stať ve sborníku
Comparison of MOSFET Gate Waffle Patterns Based on Specific On-Resistance
Electrical and electronic engineering
- 2019 •
- Jimp •
- Link
Rok uplatnění
Jimp - Článek v periodiku v databázi Web of Science
Výsledek na webu
Vysokofrekvenční transport elektronů ve zjednodušeném modelu balistického tranzistoru MOSFET
Zjednodušený model balistického tranzistoru MOSFET se stejnosmerným předpětím a malým vf signálem...
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
- 2004 •
- D
Rok uplatnění
D - Stať ve sborníku
Limity použitelnosti tranzistorů MOSFET v nanotechnologiích
Limity použitelnosti tranzitoru MOSFET v oblasti nanotechnologií...
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
- 2004 •
- D
Rok uplatnění
D - Stať ve sborníku
Univerzální budič tranzistorů IGBT a MOSFET
Jedná se o integrované řešení driverů pro třífázový střídač s tranzistory IGBT nebo MOSFET.
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
- 2016 •
- Gfunk •
- Link
Rok uplatnění
Gfunk - Funkční vzorek
Výsledek na webu
Sada měřicích přípravků pro měření a demonstraci parametrů tranzistorů MOSFET
Konstrukce přípravků pro výuku pro demonstraci vlastností a základních parametrů výkonových MOSFETů. Přípravky umožňují měření převodních charakteristik, statických a dynamických parametrů a charakteristiky parazitních struktur....
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
- 2011 •
- Gfunk
Rok uplatnění
Gfunk - Funkční vzorek
- 1 - 10 out of 220