Filters
Effect of overgrowth on shape, composition, and strain of SiGe islands on Si(001)
Effect of overgrowth on shape, composition, and strain of SiGe islands on Si(001)...
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 2002 •
- Jx
Rok uplatnění
Jx - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
Reactivity of Ethylene with Tin and Indium Modified Si(001) Surfaces
and tin modified Si(001) surface. We find that ethylene chemically interacts with tin-modified Si(001)2x1 surface by [2+2] cycloaddition reaction - as in the case of adsorption on clean Si(001) -...
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 2013 •
- D •
- Link
Rok uplatnění
D - Stať ve sborníku
Výsledek na webu
Adsorption of ethylene on Sn and In terminated Si(001) surface studied by photoelectron spectroscopy and scanning tunneling microscopy
Interaction of ethylene (C2H4) with Si(001)-Sn-2 x 2 and Si(001)-In-2 x 2 similar dimer chains on Si(001) 2 x 1, but exhibit different interaction with ethylene. While ethylene adsorbs on top of S...
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 2016 •
- Jx •
- Link
Rok uplatnění
Jx - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
Výsledek na webu
Composition and atomic ordering of Ge/Si(001) wetting layers
Composition and atomic ordering of Ge/Si(001) wetting layers...
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 2007 •
- Jx
Rok uplatnění
Jx - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
On the origin of the kinetic growth instability of homoepitaxy on Si(001)
On the origin of the kinetic growth instability of homoepitaxy on Si(001)...
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 2002 •
- Jx
Rok uplatnění
Jx - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
Activited Si-H exchange at Si-island edges on Si (001).
Annotation not available...
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 1998 •
- Jx
Rok uplatnění
Jx - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
On the microscopic origin of the kinetic step bunching instability on vicinal Si(001)
On the microscopic origin of the kinetic step bunching instability on vicinal Si(001)...
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 2002 •
- Jx
Rok uplatnění
Jx - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
Band bending at heterovalent interfaces: hard X-ray photoelectron spectroscopy of GaP/Si(0 0 1) heterostructures
the atomic structure and electronic properties of GaP/Si(001) heterointerfaces utilizing predominantly single-domain (SD) or two-domain (TD) Si(001) surfaces. We reveal core level of the GaP/Si(001
Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
- 2021 •
- Jimp •
- Link
Rok uplatnění
Jimp - Článek v periodiku v databázi Web of Science
Výsledek na webu
Three-dimensional Epitaxial Si1-xGex, Ge and SiC Crystals on Deeply Patterned Si Substrates
We have recently demonstrated for the example of Ge/Si(001) that crystal defects, wafer bowing can be avoided by combining deep substrate patterning, resulting in dense arrays of highly perfect three-dimensional epitaxial crystals. ...
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 2014 •
- D •
- Link
Rok uplatnění
D - Stať ve sborníku
Výsledek na webu
Layer-resolved photoelectron diffraction from Si(001) and GaAs(001)
representing ideally truncated surfaces of Si(001) and GaAs(001). Highly structured layer...
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 2012 •
- Jx •
- Link
Rok uplatnění
Jx - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
Výsledek na webu
- 1 - 10 out of 7 902