"Silicen na mědi": monoatomární povrchová vrstva křemíku se silicenovým uspořádáním na Cu(3+x)Si připravená chemickým a mechanickým odlučováním
Cíle projektu
Hlubší poznání vlastností křemíkového analogu grafenu zvaného silicen je podmíněno existencí takových metod přípravy, které jej dokáží produkovat v dostatečné velikosti a kvalitě. V současnosti dostupné metody tuto podmínku splňují jen velmi omezeně a experimentální výzkum silicenu se proto výrazně zpožďuje za výzkumem teoretickým. Jako atraktivní cesta k přípravě silicenových povrchů se jeví použití silicidu mědi Cu(3+x)Si, jehož nedávno objevená struktura obsahuje monoatomární vrstvy křemíku se silicenovým uspořádáním oddělené klastry atomů mědi. Cílem navrhovaného projektu je najít optimální způsob přípravy Cu(3+x)Si z hlediska velikosti a kvality křemíkových vrstev a obnažit tyto vrstvy na povrchu. Silicid mědi bude připravován metodou CVD i magnetronovým naprašováním na Si či Cu substrát. Povrch pak bude obnažen buď chemickým leptáním, které odstraní pouze měď, nebo mechanickým odloučením vrstev Cu(3+x)Si od sebe. Tímto postupem bude možné vytvářet velké a souvislé monoatomární vrstvy křemíku se silicenovým uspořádáním atomů na substrátu tvořeném klastry atomů mědi.
Klíčová slova
Veřejná podpora
Poskytovatel
Grantová agentura České republiky
Program
Mezinárodní projekty
Veřejná soutěž
Mezinárodní projekty 10 (SGA0201500003)
Hlavní účastníci
Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
Ústav chemických procesů AV ČR, v. v. i.Druh soutěže
VS - Veřejná soutěž
Číslo smlouvy
15-08842J
Alternativní jazyk
Název projektu anglicky
“Silicene on copper”: monoatomic silicon surface layer with silicene-like arrangement on Cu(3+x)Si prepared by chemical and mechanical exfoliation
Anotace anglicky
A deeper understanding of the silicon analogue of graphene dubbed silicene requires methods of preparation that will allow its production in sufficient size and quality. The currently available methods fail to fulfill these requirements, and the progress of experimental research on silicene thus lags behind the progress in theory. It appears that an attractive route to production of silicene surfaces may lead through copper silicide Cu(3+x)Si, whose recently described structure contains monoatomic layers of silicon with silicene arrangement. The aim of the proposed project is finding an optimal procedure for the production of Cu(3+x)Si with respect to the size and quality of the silicon layers, and then expose the silicene surface. Copper silicide will be prepared by low-pressure CVD method and by magnetron sputtering on Si or Cu substrate. The surface will be exposed by a selective chemical etching of copper or by mechanical separation of the copper silicide layers. In this way, it will be possible to produce large monoatomic silicene-like layers on a substrate of copper clusters.
Vědní obory
Kategorie VaV
ZV - Základní výzkum
CEP - hlavní obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
CEP - vedlejší obor
—
CEP - další vedlejší obor
—
OECD FORD - odpovídající obory
(dle převodníku)10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Hodnocení dokončeného projektu
Hodnocení poskytovatelem
U - Uspěl podle zadání (s publikovanými či patentovanými výsledky atd.)
Zhodnocení výsledků projektu
V průběhu řešení došlo k částečné změně cílů projektu i použité metodiky z důvodu nízké kvality připravených vzorků. Vzhledem k relativně početnému mezinárodnímu týmu jsou výsledky projektu relativně nízké - 5 publikací v impaktovaných časopisech. Přestože se jedná o mezinárodní projekt, není přínos mezinárodní spolupráce v závěrečné zprávě komentován. Cíle projektu se podařilo splnit částečně.
Termíny řešení
Zahájení řešení
1. 1. 2015
Ukončení řešení
31. 12. 2017
Poslední stav řešení
U - Ukončený projekt
Poslední uvolnění podpory
27. 4. 2017
Dodání dat do CEP
Důvěrnost údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Systémové označení dodávky dat
CEP18-GA0-GC-U/01:1
Datum dodání záznamu
3. 5. 2018
Finance
Celkové uznané náklady
6 754 tis. Kč
Výše podpory ze státního rozpočtu
6 754 tis. Kč
Ostatní veřejné zdroje financování
0 tis. Kč
Neveřejné tuz. a zahr. zdroje finan.
0 tis. Kč
Uznané náklady
6 754 tis. Kč
Statní podpora
6 754 tis. Kč
0%
Poskytovatel
Grantová agentura České republiky
CEP
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Doba řešení
01. 01. 2015 - 31. 12. 2017