Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Filtry

7 (0,13s)

Projekt

Nové polovodičové materiály a součástky s velkou šířkou zakázaného pásu (TH01011284)

Výzkum a vývoj nových polovodičových materiálů s velkou šířkou zakázaného pásu - především struktury GaN/AlGaN/AlN/Si. Výzkum a vývoj nových polovodičových součástek založených na materiálech s velkou šířkou zakázaného pásu - především GaN H...

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • 2015 - 2017
  • 31 897 tis. Kč
  • 18 879 tis. Kč
  • TA ČR
Projekt

Vakance atomů kovů, jejich klastry a komplexy v nitridových polovodičích (GF22-28001K)

Snahou tohoto projektu je nalézt závislost koncentrace vakancí ve vrstvách GaN, InGaN, AlGaN a AlInGaN na parametrech přípravy organokovovou epitaxí. Budou definovány technologické podmínky, za kterých dochází ke tvorbě klastrů vakancí a kom...

Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

  • 2022 - 2024
  • 8 870 tis. Kč
  • 8 576 tis. Kč
  • GA ČR
Projekt

Struktury pro rychlé, energeticky úsporné a logické obvody založené na GaN (GA25-18221S)

vlastnosti součástek pomůže zlepšit nově navrhovaná morfologie AlGaN/GaN rozhraní...

Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

  • 2025 - 2027
  • 6 793 tis. Kč
  • 6 752 tis. Kč
  • GA ČR
Projekt

Ladění elektrických vlastností hybridních struktur diamantu a galium nitridu řízenou optimalizací vnitřních pnutí (GP14-16549P)

Tento projekt se zabývá základním pochopením růstu diamantu na GaN substrátech (AlGaN/GaN na Si nebo safíru a kovových kontaktech). Odlišné metody nukleace a zárodkování budou využity pro inicializaci růstu diamantu. Růst vrstev bude realizo...

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • 2014 - 2016
  • 2 026 tis. Kč
  • 2 026 tis. Kč
  • GA ČR
Projekt

Nitridové heterostruktury pro rychlou detekci ionizujícího záření (GA16-11769S)

V rámci tohoto projektu bude vyvinuta a připravena nitridová heterostruktura s několikanásobnou kvantovou jamou, která může být využita jako rychlý scintilační detektor ionizujícího záření. Pro zkrácení luminiscenční odezvy a zesílení intenzity lumin...

JB - Senzory, čidla, měření a regulace

  • 2016 - 2019
  • 3 053 tis. Kč
  • 2 981 tis. Kč
  • GA ČR
Projekt

Heterostruktury nanodrátů ZnO/(Al,Ga)N pro optoelektroniku (GF23-07585K)

Cílem projektu je připravit nové heterostruktury nanodrátů ZnO/(Al,Ga)N pro optoelektroniku a studovat jejich základní elektrické a optické vlastnosti. Dvě vzájemně se doplňující technologie, plazmou asistovaná molekulární svazková epitaxe (PAMBE) a ...

Electrical and electronic engineering

  • 2023 - 2025
  • 6 543 tis. Kč
  • 6 363 tis. Kč
  • GA ČR
Projekt

Inteligentní mikro a nano struktury pro mikrosenzory realizované s využitím nanotechnologií (GA102/09/1601)

a nanovláken. Výzkum mikrostruktury s piezoelektrickým materiálovým systémem AlGaN/GaN...

JB - Senzory, čidla, měření a regulace

  • 2009 - 2012
  • 6 460 tis. Kč
  • 6 460 tis. Kč
  • GA ČR
  • 1 - 7 z 7