Filtry
Balistická elektronová emisní mikroskopie a spektroskopie kvantových InAs teček připravených různými technologiemi (GPP102/11/P824)
na kvantových tečkách rostených technikou epitaxe z molekulárních svazků (MBE) a epitaxí...
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
- 2011 - 2015 •
- 1 405 tis. Kč •
- 1 405 tis. Kč •
- GA ČR
Řešení projektu: 1. 1. 2011 - 13. 4. 2015
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (100%)
Poskytovatel: Grantová agentura České republiky
Příprava polovodičových kvantových heterostruktur GaAs/AlGaAs technologií MBE a jejich optimalizace (GA102/99/0415)
Cílem projektu je příprava a optimalizace kvantových struktur GaAs/AlGaAs s velmi hladkými rozhraními pomocí epitaxe z molekulárních svazků (MBE). Bude provedeno systematické studium přípravy velmi hladkých heteropřechodů různými růstovými t...
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 1999 - 2001 •
- 3 954 tis. Kč •
- 1 954 tis. Kč •
- GA ČR
Řešení projektu: 1. 1. 1999 - 1. 1. 2001
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (49%)
Poskytovatel: Grantová agentura České republiky
Povrchy nanovrstev GaAs a Ga1-xMnxAs připravených nízkoteplotní molekulární epitaxí (GA202/07/0601)
Krystalické nanovrstvy GaAs budou připraveny nízkoteplotní molekulární epitaxí (LT MBE) a budou kontrolovány in situ pomocí RHEED. Tato epitaxe umožňuje zabudovat magnetické nečistoty do polovodiče a tak směřuje k perspektivnímu vyt...
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 2007 - 2010 •
- 2 437 tis. Kč •
- 2 437 tis. Kč •
- GA ČR
Řešení projektu: 1. 1. 2007 - 31. 12. 2010
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (100%)
Poskytovatel: Grantová agentura České republiky
Řízená příprava polovodičových kvantových teček (IAA100100719)
Cílem tohoto projektu je řízená příprava tvaru a velikosti polovodičových kvantových teček (QD) na bázi InAs, později i GaSb, metodou organokovové epitaxe (MOVPE a rychlostí růstu, poměrem růstových prekursorů, časovým průběhem epitaxe
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 2007 - 2009 •
- 1 763 tis. Kč •
- 1 763 tis. Kč •
- AV ČR
Řešení projektu: 1. 1. 2007 - 31. 12. 2009
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (100%)
Poskytovatel: Akademie věd České republiky
Struktury pro elektroniku a optoelektroniku připravované metodou organokovové epitaxe (GA102/96/1703)
Navrhovaný projekt se týká spolupráce vysokých škol (MFF UK, VŠCHT, FEL ČVUT, PrFMU) a unikátního technologického prac. pro přípravu tenkých, kvantově rozměrových polovodičových vrstev metodou organokovové epitaxe (FzÚ AV ČR). V letech 1993-...
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 1996 - 1998 •
- 8 426 tis. Kč •
- 4 523 tis. Kč •
- GA ČR
Řešení projektu: 1. 1. 1996 - 1. 1. 1998
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (54%)
Poskytovatel: Grantová agentura České republiky
Nízkoteplotní molekulární svazková epitaxe feromagnetického (Ga,Mn)As (GA202/04/1519)
Projekt je zaměřen na vývoj, realizaci a optimalizaci technologie růstu tenkých vrstev zředěných magnetických polovodičů (DMS), konkrétně manganem dotovaného GaAs. Magnetický materiál bude připravován v nové, dedikované aparatuře molekulární svazkové...
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 2004 - 2006 •
- 3 724 tis. Kč •
- 3 724 tis. Kč •
- GA ČR
Řešení projektu: 1. 1. 2004 - 1. 1. 2006
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (100%)
Poskytovatel: Grantová agentura České republiky
Centrum materiálového výzkumu a vzdělávání (PV091)
Technologie epitaxe z molekulárních svazků,příprava mikroelektr.prvků s dvourozměrným elektronovým plynem,příprava tenkých vrstev na bázi pórezního křemíku a laserové opracování povrchů a tenkých vrstev XXX XXX XXX......
AM - Pedagogika a školství
- 1991 - 1994 •
- 0 tis. Kč •
- 0 tis. Kč •
- MŠMT
Řešení projektu: 1. 1. 1991 - 1. 1. 1994
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu
Poskytovatel: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
STUDIUM MECHANIZMU RůSTU TENKÝCH VRSTEV NA POLOVODIČOVÝCH A NEVODIVÝCH SUBSTRÁTECH (ME 032)
STUDIUM_RůSTU A VLASTNOSTÍ TENKÝCH VRSTEV PŘIPRAVOVANÝCH DEPOZICÍ MOLEKULÁRNÍM SVAZKEM V PODMÍNKÁCH UHV S VYUŽITÍM SPEKTROSKOPICKÝCH METOD ANALÝZY POVRCHů.......
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 1996 - 1997 •
- 235 tis. Kč •
- 60 tis. Kč •
- MŠMT
Řešení projektu: 1. 1. 1996 - 1. 1. 1997
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (26%)
Poskytovatel: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
Úniková hloubka elektronů z krystalických povrchů (IAA100100628)
Úniková hloubka elektronů, jeden z nejdůležitejších parametrů elektronové spektroskopie a difrakce, bude určena pro pomalé elektrony (pod 50 eV) pro uspořádané systémy na bázi GaAs připravené epitaxí z molekulárních svazků. Její energetická ...
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 2006 - 2009 •
- 2 528 tis. Kč •
- 2 528 tis. Kč •
- AV ČR
Řešení projektu: 1. 1. 2006 - 31. 12. 2009
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (100%)
Poskytovatel: Akademie věd České republiky
Prostorově rozlišená balistická elektronová emisní spektroskopie na jednotlivých InAs/GaAs kvantových tečkách uzavřených mezi AlGaAs barierami (GA202/05/0242)
epitaxe) technikou a výsledky měření budou srovnávaný s výsledky měření na vzorcích připravených dříve MBE (molekulární epitaxe) technikou (University of Nothingham). Výsledky......
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 2005 - 2007 •
- 1 301 tis. Kč •
- 1 301 tis. Kč •
- GA ČR
Řešení projektu: 1. 1. 2005 - 31. 12. 2007
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (100%)
Poskytovatel: Grantová agentura České republiky
- 1 - 10 z 74