Zkoumání dvojitých jam v polovodičových strukturách GaAs/GaAs je zajímavé pro studium přechodu od "dvojrozměrného" k "trojrozměrnému" chování elektronů. Plánované práce zahrnují měření magneto-rezistence a Hallova jevu pro různé ori...

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

Řešení projektu: 1. 1. 2001 - 1. 1. 2003
• 2001 - 2003
•

Uznané náklady
• 2 483 tis. Kč
•

Podpora ze státního rozpočtu (46%)
• 1 133 tis. Kč
•

Poskytovatel: Grantová agentura České republiky
• GA ČR

Výzkum a vývoj fotovoltaického modulu vybaveného optickým koncentrátorem a fotovoltaickým čipem GaAs, uspořádání těchto modelů do solárního panelu a vývoj solárních elektrických soustav přesně navigovaných na slunce a schopných provozu v reá...

JE - Nejaderná energetika, spotřeba a užití energie

Řešení projektu: 18. 3. 2008 - 31. 12. 2011
• 2008 - 2011
•

Uznané náklady
• 41 657 tis. Kč
•

Podpora ze státního rozpočtu (50%)
• 20 800 tis. Kč
•

Poskytovatel: Ministerstvo průmyslu a obchodu
• MPO

Cílem projektu je určit vliv překrytí InAs/GaAs kvantových teček (QD) připravených metodou MOVPE s emisí ~ 1,55 mikronu na jejich morfologii a elektronové stavy. Optimalizací parametrů InGaAs a GaAsSb krycích vrstev bude minimalizován nežádo...

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

Řešení projektu: 1. 1. 2009 - 31. 12. 2011
• 2009 - 2011
•

Uznané náklady
• 3 094 tis. Kč
•

Podpora ze státního rozpočtu (100%)
• 3 094 tis. Kč
•

Poskytovatel: Grantová agentura České republiky
• GA ČR

Vytváření pórovité struktury umožňuje ovlivňovat základní vlastnosti polovodičových materiálů [1]. Porézní struktury A3B5 mají ve srovnání s porézním křemíkem základní výhodu v přímozonné pásové struktuře a možnosti měnit šířku zakázaného pásu.......

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

Řešení projektu: 1. 1. 2003 - 1. 1. 2005
• 2003 - 2005
•

Uznané náklady
• 7 448 tis. Kč
•

Podpora ze státního rozpočtu (11%)
• 794 tis. Kč
•

Poskytovatel: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
• MŠMT

Krystalické epitaxní nanosystémy na bázi GaAs (heterostruktury a supermřížky) představující umělé krystaly s unikátními elektrickými vlastnostmi, budou s vysokou čistotou připraveny v ultravysokém vakuu epitaxí z molekulárních svazků (MBE). ...

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

Řešení projektu: 1. 1. 2001 - 1. 1. 2003
• 2001 - 2003
•

Uznané náklady
• 4 712 tis. Kč
•

Podpora ze státního rozpočtu (25%)
• 1 163 tis. Kč
•

Poskytovatel: Akademie věd České republiky
• AV ČR

. Budou se studovat čisté povrchy GaAs(100) a jednotlivé etapy růstu supermřížek připravených zvelmi tenkých vrstev GaAs a GaAlAs.......

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

Řešení projektu: 1. 1. 1997 - 1. 1. 1999
• 1997 - 1999
•

Uznané náklady
• 1 080 tis. Kč
•

Podpora ze státního rozpočtu (63%)
• 680 tis. Kč
•

Poskytovatel: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
• MŠMT

Krystalické nanovrstvy GaAs budou připraveny nízkoteplotní molekulární epitaxí (LT MBE) a budou kontrolovány in situ pomocí RHEED. Tato epitaxe umožňuje zabudovat magnetické nečistoty do polovodiče a tak směřuje k perspektivnímu vytvoření ma...

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

Řešení projektu: 1. 1. 2007 - 31. 12. 2010
• 2007 - 2010
•

Uznané náklady
• 2 437 tis. Kč
•

Podpora ze státního rozpočtu (100%)
• 2 437 tis. Kč
•

Poskytovatel: Grantová agentura České republiky
• GA ČR

přechodů) a na heterostuktury GaAs/GaAs (studium kvantových oscilací vlnových balíků...

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

Řešení projektu: 1. 1. 1998 - 1. 1. 2000
• 1998 - 2000
•

Uznané náklady
• 663 tis. Kč
•

Podpora ze státního rozpočtu (56%)
• 370 tis. Kč
•

Poskytovatel: Grantová agentura České republiky
• GA ČR