Filtry
Povrchy nanovrstev GaAs a Ga1-xMnxAs připravených nízkoteplotní molekulární epitaxí (GA202/07/0601)
Krystalické nanovrstvy GaAs budou připraveny nízkoteplotní molekulární epitaxí (LT MBE) a budou kontrolovány in situ pomocí RHEED. Tato epitaxe umožňuje zabudovat magnetické nečistoty do polovodiče a tak směřuje k perspektivnímu vytvoření ma...
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 2007 - 2010 •
- 2 437 tis. Kč •
- 2 437 tis. Kč •
- GA ČR
Řešení projektu: 1. 1. 2007 - 31. 12. 2010
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (100%)
Poskytovatel: Grantová agentura České republiky
Příprava radiačně odolných solárních článků z GaInP2/GaAs (ME 610)
Heteropřechody GaInP2/GaAs vykazují nejvyšší radiační odolnost z materiálů používaných k přípravě solárních článků s vysokou konversní účinností. Výzkum je zaměřen na přípravu základních heterostruktur GaInP2/GaAs epitaxním růstem z...
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
- 2002 - 2004 •
- 3 237 tis. Kč •
- 662 tis. Kč •
- MŠMT
Řešení projektu: 1. 1. 2002 - 1. 1. 2004
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (20%)
Poskytovatel: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
Traceable characterisation of nanostructured devices (7AX13004)
-destructive methods for the characterisation of nanolayers and buried interfaces, by chemical depth-profiling of nanolayers (up to 200 nm) with trace level sensitivity nanolayers and interfaces with depth resolutions of be...
BG - Jaderná, atomová a molekulová fyzika, urychlovače
- 2013 - 2015 •
- 1 370 tis. Kč •
- 765 tis. Kč •
- MŠMT
Řešení projektu: 1. 1. 2013 - 30. 6. 2015
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (56%)
Poskytovatel: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
Magnetotransport v dvojvrstvých elektronových systémech (GA202/01/0754)
Zkoumání dvojitých jam v polovodičových strukturách GaAs/GaAs je zajímavé pro studium přechodu od "dvojrozměrného" k "trojrozměrnému" chování elektronů. Plánované práce zahrnují měření magneto-rezistence a Hallova jevu pro různé ori...
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 2001 - 2003 •
- 2 483 tis. Kč •
- 1 133 tis. Kč •
- GA ČR
Řešení projektu: 1. 1. 2001 - 1. 1. 2003
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (46%)
Poskytovatel: Grantová agentura České republiky
Účast v mezinárodních vědeckých výborech a konferencích oboru filtrace, separace a katalýzy (LA10016)
Účast řešitele ve vědeckých výborech a na konferencích filtrace, separace a fotokatalýzy.Přenos informací z významných odborných akcí v oboru filtrace, separace a katalýzy k české odborné veřejnosti.......
CI - Průmyslová chemie a chemické inženýrství
- 2010 - 2012 •
- 300 tis. Kč •
- 300 tis. Kč •
- MŠMT
Řešení projektu: 1. 5. 2010 - 31. 12. 2012
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (100%)
Poskytovatel: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
Fotovoltaické solární panely s GaAs čipy a optickým koncentrátorem (2A-3TP1/124)
Výzkum a vývoj fotovoltaického modulu vybaveného optickým koncentrátorem a fotovoltaickým čipem GaAs, uspořádání těchto modelů do solárního panelu a vývoj solárních elektrických soustav přesně navigovaných na slunce a schopných provozu v reá...
JE - Nejaderná energetika, spotřeba a užití energie
- 2008 - 2011 •
- 41 657 tis. Kč •
- 20 800 tis. Kč •
- MPO
Řešení projektu: 18. 3. 2008 - 31. 12. 2011
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (50%)
Poskytovatel: Ministerstvo průmyslu a obchodu
Vliv krycích vrstev na elektronové stavy v kvantových tečkách (GA202/09/0676)
Cílem projektu je určit vliv překrytí InAs/GaAs kvantových teček (QD) připravených metodou MOVPE s emisí ~ 1,55 mikronu na jejich morfologii a elektronové stavy. Optimalizací parametrů InGaAs a GaAsSb krycích vrstev bude minimalizován nežádo...
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 2009 - 2011 •
- 3 094 tis. Kč •
- 3 094 tis. Kč •
- GA ČR
Řešení projektu: 1. 1. 2009 - 31. 12. 2011
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (100%)
Poskytovatel: Grantová agentura České republiky
Tvorba a charakterizace samoorganizovaných pórů v heterostrukturách InGaP/GaAs. (ME 697)
Vytváření pórovité struktury umožňuje ovlivňovat základní vlastnosti polovodičových materiálů [1]. Porézní struktury A3B5 mají ve srovnání s porézním křemíkem základní výhodu v přímozonné pásové struktuře a možnosti měnit šířku zakázaného pásu.......
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
- 2003 - 2005 •
- 7 448 tis. Kč •
- 794 tis. Kč •
- MŠMT
Řešení projektu: 1. 1. 2003 - 1. 1. 2005
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (11%)
Poskytovatel: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
Elektronová spektroskopie povrchů epitaxních polovodičových nanosystémů na bázi GaAs (IAA1010108)
Krystalické epitaxní nanosystémy na bázi GaAs (heterostruktury a supermřížky) představující umělé krystaly s unikátními elektrickými vlastnostmi, budou s vysokou čistotou připraveny v ultravysokém vakuu epitaxí z molekulárních svazků (MBE). ...
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 2001 - 2003 •
- 4 712 tis. Kč •
- 1 163 tis. Kč •
- AV ČR
Řešení projektu: 1. 1. 2001 - 1. 1. 2003
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (25%)
Poskytovatel: Akademie věd České republiky
Spektroskopický výzkum a kontrola epitaxních polovodičových supervodičů (ME 090)
. Budou se studovat čisté povrchy GaAs(100) a jednotlivé etapy růstu supermřížek připravených zvelmi tenkých vrstev GaAs a GaAlAs.......
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 1997 - 1999 •
- 1 080 tis. Kč •
- 680 tis. Kč •
- MŠMT
Řešení projektu: 1. 1. 1997 - 1. 1. 1999
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (63%)
Poskytovatel: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
- 1 - 10 z 64