Vše
Vše

Co hledáte?

Vše
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”
CS
ČeštinaEnglish

Filtry

-
19852030

Spojovat pomocíNeboA

Spojovat pomocíNeboA

VybratVše/Nic

      • Zobrazit více

      • Zobrazit více

      • Zobrazit více

VybratVše/Nic

Spojovat pomocíNeboA

-

Více filtrů

Projekty

12 projektů (0,136s) •

Projekt

Nízkofrekvenční šum v submikronových MOSFET a HEMT strukturách (GA102/08/0260)

Cílem projektu je na základě studia nízkofrekvenčního šumu přispět ke zvýšení poměru signál/šum submikronových MOSFET a HEMT struktur. Provedeme podrobnou analýzu parametrů 1/f a RTS šumu v závislosti na intenzitě elektrického pole v podélné...

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • 2008 - 2010
    • •
  • 1 050 tis. Kč
    • •
  • 1 050 tis. Kč
    • •
  • GA ČR
Projekt

Šum HEMT pro globální komunikace (ME 605)

Projekt řeší novou problematiku vzniku fluktuačních procesů v kvantových tečkách a HEMT strukturách. Metodika spočívá v experimentálním studiu měřitelných veličin, jako je perioda mezi dvěma následujícími pulsy a šumová spektrální hustota ro...

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • 2002 - 2004
    • •
  • 1 404 tis. Kč
    • •
  • 924 tis. Kč
    • •
  • MŠMT
Projekt

Struktury pro rychlé, energeticky úsporné a logické obvody založené na GaN (GA25-18221S)

. Očekávané výsledky projektu slibují důležitá zlepšení v GaN-HEMT technologii. Frekvenční se zavřeným kanálem (e-HEMT), které nebudou trpět difúzí Mg atomů, čímž se zvýší konceptu komplementárních HEMT struktur vytvořených...

Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

  • 2025 - 2027
    • •
  • 6 793 tis. Kč
    • •
  • 6 752 tis. Kč
    • •
  • GA ČR
Projekt

Výzkum moderních součástek pro globální komunikace (ME 285)

Projekt řeší problematiku formulace indikátoru kvality a spolehlivosti aktivních a pasivních součástek pro globální komunikace. Tyto indikátory jsou určeny na základě transportních charakteristik a šumové spektroskopie. Experimenty budou zaměřeny na ...

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • 1998 - 2000
    • •
  • 840 tis. Kč
    • •
  • 700 tis. Kč
    • •
  • MŠMT
Projekt

Vývoj nitridových součástek pro energeticky úspornou rychlou výkonovou elektroniku (LTAIN19163)

D1 – návrh heterostruktury pro laterální tranzistory D2 – návrh heterostruktury s vertikální architekturou D3 – návrh geometrie fotolitografických struktur a kontaktů S1a,b – laterální HEMT heterostruktura (dvě verze) a její další zpracová...

Nano-processes (applications on nano-scale); (biomaterials to be 2.9)

  • 2020 - 2022
    • •
  • 4 084 tis. Kč
    • •
  • 4 084 tis. Kč
    • •
  • MŠMT
Projekt

Nové polovodičové materiály a součástky s velkou šířkou zakázaného pásu (TH01011284)

Výzkum a vývoj nových polovodičových materiálů s velkou šířkou zakázaného pásu - především struktury GaN/AlGaN/AlN/Si. Výzkum a vývoj nových polovodičových součástek založených na materiálech s velkou šířkou zakázaného pásu - především GaN HEMT

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • 2015 - 2017
    • •
  • 31 897 tis. Kč
    • •
  • 18 879 tis. Kč
    • •
  • TA ČR
Projekt

Ladění elektrických vlastností hybridních struktur diamantu a galium nitridu řízenou optimalizací vnitřních pnutí (GP14-16549P)

kanály a HEMT tranzistory na diamant-GaN heterostrukturách budou zkoumány pomocí...

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • 2014 - 2016
    • •
  • 2 026 tis. Kč
    • •
  • 2 026 tis. Kč
    • •
  • GA ČR
Projekt

Nové polovodičové struktury pro pokročilé elektronické aplikace (TH02010014)

(např. ověřené funkční struktury pro HEMT). 3) VaV vhodných metod pro měření...

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • 2017 - 2020
    • •
  • 28 119 tis. Kč
    • •
  • 16 819 tis. Kč
    • •
  • TA ČR
Projekt

Zdroje šumu v polovodičových materiálech a součástkách (GA102/05/2095)

. submikronových vzorcích MOSFET a HEMT, 3. na nově vyvíjených InGaAs kvantových tečkách...

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • 2005 - 2007
    • •
  • 1 997 tis. Kč
    • •
  • 1 997 tis. Kč
    • •
  • GA ČR
Projekt

Využití povrchových jevů k eliminaci rozsáhlých defektů v polovodičových nanostrukturách (GA24-12526S)

Polovodičové filmy jsou často pěstovány na substrátech s nesourodými mřížkami, což má za následek velkou hustotu vláknových dislokací, které snižují účinnost LED, laserových diod a HEMT tranzistorů. Existující teoretické modely III-nitridů p...

Materials engineering

  • 2024 - 2026
    • •
  • 6 291 tis. Kč
    • •
  • 6 291 tis. Kč
    • •
  • GA ČR
  • 1 - 10 z 12