Vše
Vše

Co hledáte?

Vše
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”
CS
ČeštinaEnglish

Filtry

-
19852030

Spojovat pomocíNeboA

Spojovat pomocíNeboA

VybratVše/Nic

      • Zobrazit více

      • Zobrazit více

VybratVše/Nic

Spojovat pomocíNeboA

-

Více filtrů

Projekty

19 projektů (0,172s) •

Projekt

Vliv krycích vrstev na elektronové stavy v kvantových tečkách (GA202/09/0676)

Cílem projektu je určit vliv překrytí InAs/GaAs kvantových teček (QD) připravených metodou MOVPE s emisí ~ 1,55 mikronu na jejich morfologii a elektronové stavy. Optimalizací parametrů InGaAs a GaAsSb krycích vrstev bude minimalizován nežádo...

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • 2009 - 2011
    • •
  • 3 094 tis. Kč
    • •
  • 3 094 tis. Kč
    • •
  • GA ČR
Projekt

Mechanismus zářivé rekombinace v subnanometrových InAs/GaAs laserových strukturách (IAA1010318)

Navrhovatelé již několik let připravují a studují polovodičové laserové struktury s jednou či více InAs vrstvami o tloušťce několika atomových rovin a vzdálenými od sebe jednotky nanometrů. Posun poloh maxim El, PL a absorpční hrany struktur...

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • 2003 - 2005
    • •
  • 3 053 tis. Kč
    • •
  • 1 543 tis. Kč
    • •
  • AV ČR
Projekt

Inženýrství kvantových teček (GA202/06/0718)

Příprava vertikálně korelovaných vícevrstvých struktur kvantových teček InAs s vysokou účinností luminiscence. Budou připraveny struktury se zadanými vlastnostmi, jako je vlnová délka emise, energetický rozdíl mezi nejnižším a druhým nejnižš...

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • 2006 - 2008
    • •
  • 3 270 tis. Kč
    • •
  • 3 270 tis. Kč
    • •
  • GA ČR
Projekt

Balistická elektronová emisní mikroskopie a spektroskopie kvantových InAs teček připravených různými technologiemi (GPP102/11/P824)

Pomocí balistické elektronové emisní mikroskopie a spektroskopie budou studovány samouspořádané InAs kvantové tečky v GaAs vložené mezi GaAlAs bariery. Na samouspořádaných kvantových tečkách s rozměrově shodnou základnou připravených různou ...

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • 2011 - 2015
    • •
  • 1 405 tis. Kč
    • •
  • 1 405 tis. Kč
    • •
  • GA ČR
Projekt

Studium excitonové struktury kvantových teček typu II pomocí Fourierovské spektroskopie založené na měření jednofotonové korelace (7AMB17AT044)

energií studovaných teček. • Růst InAs/GaAs a SiGe QD metodou epitaxe z molekulárních z InAs/GaAs a SiGe teček pomocí PCFS a srovnat výsledky s odpovídajícími výsledky. • Modelovat excitonovou a multiexcitonovou strukturu InAs<...

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • 2017 - 2018
    • •
  • 105 tis. Kč
    • •
  • 105 tis. Kč
    • •
  • MŠMT
Projekt

Studium perspektivních polovodičových materiálů a struktur pomocí balistické elektronové emisní mikroskopie/spektroskopie a kontaktního profilometru (GA102/97/0427)

Perspektivní materiály a struktury pro elektroniku a optoelektroniku budou studovány pomocí balistické elektronové emisní mikroskopie/spektroskopie. Jedná se o struktury InAs/AlSb, InAs/GaSb/AlSb, GaAs/AlGaAs, ZnS/GaN, GaN/AlN a vrs...

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • 1997 - 1999
    • •
  • 3 564 tis. Kč
    • •
  • 1 665 tis. Kč
    • •
  • GA ČR
Projekt

Prostorově rozlišená balistická elektronová emisní spektroskopie na jednotlivých InAs/GaAs kvantových tečkách uzavřených mezi AlGaAs barierami (GA202/05/0242)

InAs kvantové tečky v GaAs uzavřené mezi AlGaAs barierami budou studovány pomoci balistického elektronového emisního mikroskopu (BEEM). Detailní prostorově rozlišená balistická elektronová emisní spektroskopie (BEES) na těchto tečkách je hla...

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • 2005 - 2007
    • •
  • 1 301 tis. Kč
    • •
  • 1 301 tis. Kč
    • •
  • GA ČR
Projekt

Kvantové tečky v polovodičích III-V (GA202/99/1613)

Studium růstu a vlastností kvantových teček ("Quantum Dots" - QD) v polovodičových sloučeninách typu III-V, zejména InAs/GaAs. Příprava relativně velkého objemu materiálu obsahujícího QD metodou plynné epitaxe z organokovových sloučenin (MOV...

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • 1999 - 2001
    • •
  • 1 700 tis. Kč
    • •
  • 1 330 tis. Kč
    • •
  • GA ČR
Projekt

Kvantové tečky pro detektory a jiné součástky (GAP102/10/1201)

Cílem tohoto projektu je řízená příprava polovodičových kvantových teček (QD) na bázi InAs/GaAs, později eventuálně i GaSb, metodou organokovové epitaxe (MOVPE). Důležité optické a elektrické vlastnosti struktur s QD jsou, vzhledem k srovnat...

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • 2010 - 2012
    • •
  • 953 tis. Kč
    • •
  • 953 tis. Kč
    • •
  • GA ČR
Projekt

Kontrola znečištění životního prostředí pomocí absorpční spektroskopie s využitím diodových laserů laditelných v oboru 2-4 mikrometru. (OK 136)

Hlavní cíl tohoto projektu je vývoj nových měřících technik využívajících potenciálních možností laserové spektroskopie ve spektrálním oboru 2-4 mikrometru, zejména pro detekci atmosferických polutantů. Největší úsilí je věnováno vývoji, konstrukci a...

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • 1996 - 1996
    • •
  • 0 tis. Kč
    • •
  • 0 tis. Kč
    • •
  • MŠMT
  • 1 - 10 z 19