Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”
CS
ČeštinaEnglish

Filtry

10 (0,136s) •

Projekt

Nízkofrekvenční šum v submikronových MOSFET a HEMT strukturách (GA102/08/0260)

Cílem projektu je na základě studia nízkofrekvenčního šumu přispět ke zvýšení poměru signál/šum submikronových MOSFET a HEMT struktur. Provedeme podrobnou analýzu parametrů 1/f a RTS šumu v závislosti na intenzitě elektrického pole v podélné...

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • 2008 - 2010
    • •
  • 1 050 tis. Kč
    • •
  • 1 050 tis. Kč
    • •
  • GA ČR
Projekt

Stochastické jevy v polovodičových strukturách MIS a MIM (GA102/09/1920)

Objasnit vztah mezi elektronickým šumem, dobou relaxace nosičů náboje a energetickými hladinami lokalizovaných stavů v izolačních vrstvách pro hradla MOSFETů, v izolačních vrstvách tantalových a niob-oxidových kondensátorů a dále CdTe senzor...

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • 2009 - 2011
    • •
  • 2 398 tis. Kč
    • •
  • 2 398 tis. Kč
    • •
  • GA ČR
Projekt

Magnetotransport v Si (100) MOSFETech s dvěma obsazenými subpásy při teplotách pod 4,2 K (GA202/96/0036)

struktur MOSFET s velmi malou nebo velmi vysokou koncentrací elektronů. V případě...

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • 1996 - 1998
    • •
  • 3 152 tis. Kč
    • •
  • 1 864 tis. Kč
    • •
  • GA ČR
Projekt

Nedestruktivní testování elektronických materiálů a součástek pomocí elektro-ultrazvukové a rezonanční ultrazvukové spektroskopie (7AMB13PL033)

1. Rozšíření elektro-ultrazvukové a resonanční ultrazvukové spektroskopie na elektronické součástky (rezistory, varistory, kondenzátory a tranzistory MOSFET). 2. Analýza amplitudy a tvaru mechanických kmitů vybuzených ultrazvukovým budičem a...

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • 2013 - 2014
    • •
  • 188 tis. Kč
    • •
  • 188 tis. Kč
    • •
  • MŠMT
Projekt

GaN for Advanced Power Applications (8A21007)

based devices on MOSFET architecture with vertical p-GaN inversion channel for safe...

Electrical and electronic engineering

  • 2021 - 2025
    • •
  • 13 745 tis. Kč
    • •
  • 8 936 tis. Kč
    • •
  • MŠMT
Projekt

Výzkum a vývoj technologií výroby SiC krystalů a desek pro pokročilé elektronické aplikace (EG20_321/0024782)

Cílem projektu je výzkum a vývoj světově konkurenceschopné technologie výroby substrátu karbidu křemíku (SiC) pro pokročilé polovodičové aplikace (MOSFET - Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) s demonstrací kvalifikovanými funk...

Materials engineering

  • 2021 - 2024
    • •
  • 66 007 tis. Kč
    • •
  • 0 tis. Kč
    • •
  • MPO
Projekt

Šum jako diagnostická metoda pro zvýšení spolehlivosti mikroelektronických součástek pro informační technologii a řízení životního prostředí . (OK 249)

. Návrh indikátorů spolehlivosti pro bipolární součástky a struktury MOSFET...

JB - Senzory, čidla, měření a regulace

  • 1996 - 1996
    • •
  • 0 tis. Kč
    • •
  • 0 tis. Kč
    • •
  • MŠMT
Projekt

Výzkum a vývoj radiačně odolných polovodičových řešení (TK05020011)

Výzkum a vývoj polovodičových řešení s radiační odolností. Výzkum a vývoj polovodičových technologií pro SiC součástky. Kvalifikace polovodičové SiC technologie pro prostředí s radiační zátěží. Vývoj radiačně odolné výkonové SiC spínací součástky. Ra...

Energy and fuels

  • 2023 - 2025
    • •
  • 32 897 tis. Kč
    • •
  • 18 249 tis. Kč
    • •
  • TA ČR
Projekt

Zdroje šumu v polovodičových materiálech a součástkách (GA102/05/2095)

. submikronových vzorcích MOSFET a HEMT, 3. na nově vyvíjených InGaAs kvantových tečkách...

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • 2005 - 2007
    • •
  • 1 997 tis. Kč
    • •
  • 1 997 tis. Kč
    • •
  • GA ČR
Projekt

Centrum vývoje zařízení pro testování polovodičových součástek a jejich aplikací (EA 4.2PT03/070)

(diody, transistory, MOSFET, JFET) výkonovými součástkami do 2500V/200A...

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • 2010 - 2013
    • •
  • 10 378 tis. Kč
    • •
  • 6 227 tis. Kč
    • •
  • MPO
  • 1 - 10 z 10