Filtry
Struktury SOI pro pokročilé polovodičové aplikace (TA01010078)
1) Aplikovaný výzkum progresivních polovodičových materiálů a struktur a experimentální vývoj technologií jejich výroby se zaměřením na pokročilou technologii výroby Silicon-On-Insulator (SOI) a na bonding křemíkových desek pro SOI....
JJ - Ostatní materiály
- 2011 - 2013 •
- 40 675 tis. Kč •
- 20 912 tis. Kč •
- TA ČR
Řešení projektu: 1. 1. 2011 - 31. 12. 2013
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (51%)
Poskytovatel: Technologická agentura ČR
Detekční mikroelektronický obvod pro orbitální měření kosmického záření (TJ01000200)
Hlavním cílem navrhovaného projektu je výzkum, vývoj a realizace detekčního dozimetrického čipu pro kosmické aplikace na bázi kompaktních pixelových detektorů ionizujícího záření s ohledem na radiační odolnost dosažitelnou v SOI CMOS (Silicon
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
- 2017 - 2019 •
- 4 886 tis. Kč •
- 4 142 tis. Kč •
- TA ČR
Řešení projektu: 1. 10. 2017 - 30. 9. 2019
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (85%)
Poskytovatel: Technologická agentura ČR
Výzkum a vývoj nových technologií výroby bipolárního tranzistoru s izolovaným hradlem (TIGBT) (TH01010419)
Výzkum a vývoj pokročilé substrátové desky se SOI strukturou pro použití v TIGBT technologii. Výzkum a vývoj výrobního procesu technologie TIGBT pro redukci vodivostních a spínacích ztrát. Výzkum a vývoj nové generace TIGBT součástek pro náročné apli...
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
- 2015 - 2017 •
- 32 969 tis. Kč •
- 19 233 tis. Kč •
- TA ČR
Řešení projektu: 1. 1. 2015 - 31. 12. 2017
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (58%)
Poskytovatel: Technologická agentura ČR
Výzkum a vývoj radiačně odolných polovodičových řešení (TK05020011)
Výzkum a vývoj polovodičových řešení s radiační odolností. Výzkum a vývoj polovodičových technologií pro SiC součástky. Kvalifikace polovodičové SiC technologie pro prostředí s radiační zátěží. Vývoj radiačně odolné výkonové SiC spínací součástky. Ra...
Energy and fuels
- 2023 - 2025 •
- 32 897 tis. Kč •
- 18 249 tis. Kč •
- TA ČR
Řešení projektu: 1. 2. 2023 - 31. 12. 2025
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (55%)
Poskytovatel: Technologická agentura ČR
Technologický demonstrátor - Radiační orbitální monitor se snímačem Spacepix (TH04010294)
Realizací předkládaného projektu dojde k vytvoření radiačního detektoru založeném na novém detekčním ASIC čipu z rodiny SpacePix a k ověření jeho funkce v kosmickém prostředí. ESC poté bude mít k dispozici technologii dosahující úrovně TRL 9 (kde se ...
Aerospace engineering
- 2019 - 2022 •
- 31 355 tis. Kč •
- 20 185 tis. Kč •
- TA ČR
Řešení projektu: 1. 1. 2019 - 30. 11. 2022
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (64%)
Poskytovatel: Technologická agentura ČR
Topologické materiály pro součástky další generace (8X25044)
topological insulator, a strong topological insulator, or a Dirac semimetal state. The...
Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
- 2025 - 2027 •
- 159 tis. Kč •
- 159 tis. Kč •
- MŠMT
Řešení projektu: 1. 7. 2025 - 30. 6. 2027
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (100%)
Poskytovatel: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
Návrh procesu jednostranného leptání křemíkové desky pro použití v technologické výrobě fotovoltaických solárních článků (FR-TI1/599)
Výsledkem zavedení procesu jednostranného leptání křemíkové desky do technologie výroby solárních článků je zvýšení konverzní účinnosti a snížení nákladů na vyrobený solární článek.......
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
- 2009 - 2013 •
- 9 500 tis. Kč •
- 3 800 tis. Kč •
- MPO
Řešení projektu: 1. 7. 2009 - 30. 6. 2013
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (40%)
Poskytovatel: Ministerstvo průmyslu a obchodu
*Výzkum a vývoj pokročilé křemíkové desky pro sub-mikronové technologie. (FI-IM2/131)
*Výzkum a vývoj technologie výroby pokročilé leštěné desky pro high-tech sub-mikronové technologie výroby integrovaných obvodů. Pro dosažení daných cílů vývoje pokročilé desky bude v procesu Czochralskiho tažení monokrystalů křemíku instalována nová ...
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
- 2005 - 2007 •
- 11 668 tis. Kč •
- 3 345 tis. Kč •
- MPO
Řešení projektu: 1. 3. 2005 - 31. 12. 2007
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (29%)
Poskytovatel: Ministerstvo průmyslu a obchodu
Spojení tenkovrstvých a monolitických křemíkových slunečních článků (IAB2949101)
Projekt spojuje výzkum slunečních článků ve dvou směrech jak odborně, tak i organizačně: 1) výzkumný tým významného výrobce slunečních monolitických křemíkových slunečních článků firmy Solartec a 2) tým základního výzkumu tenkovrstvých slunečních člá...
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 2001 - 2003 •
- 10 475 tis. Kč •
- 1 916 tis. Kč •
- AV ČR
Řešení projektu: 1. 1. 2001 - 1. 1. 2003
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (18%)
Poskytovatel: Akademie věd České republiky
Výzkum dynamiky nosičů ve strukturách s křemíkovými nanokrystaly (ME 304)
Použití objemového krystalického křemíku (Si) v optických aplikacích je omezeno charakterem jeho zakázaného pásu (nepřímý zakázaný pás s malou šířkou). Výsledky studia tzv. porézního Si v několika posledních letech však ukazují, že velmi jemné křemík...
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 1999 - 2000 •
- 1 286 tis. Kč •
- 341 tis. Kč •
- MŠMT
Řešení projektu: 1. 1. 1999 - 1. 1. 2000
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (27%)
Poskytovatel: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
- 1 - 10 z 158