Filtry
Projekt
Výzkum a vývoj nových technologií výroby bipolárního tranzistoru s izolovaným hradlem (TIGBT) (TH01010419)
Výzkum a vývoj pokročilé substrátové desky se SOI strukturou pro použití v TIGBT technologii. Výzkum a vývoj výrobního procesu technologie TIGBT pro redukci vodivostních a spínacích ztrát. Výzkum a vývoj nové generace TIGBT...
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
- 2015 - 2017 •
- 32 969 tis. Kč •
- 19 233 tis. Kč •
- TA ČR
Řešení projektu: 1. 1. 2015 - 31. 12. 2017
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (58%)
Poskytovatel: Technologická agentura ČR
- 1 - 1 z 1