Filtry
Studium epitaxních jevů ve feroelektrických nanovrstvách pomocí spektrální elipsometrie (GA15-13778S)
Projekt se zabývá experimentálním výzkumem elektronových přechodů v perovskitových epitaxních feroelektrických nanovrstvách. Použití kombinace elipsometrické metody, makroskopického výzkumu feroelektrické polarizace a jiných charakterizačních metod n...
BL - Fyzika plasmatu a výboje v plynech
- 2015 - 2017 •
- 4 730 tis. Kč •
- 4 730 tis. Kč •
- GA ČR
Řešení projektu: 1. 1. 2015 - 31. 12. 2017
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (100%)
Poskytovatel: Grantová agentura České republiky
Syntéza epitaxních vrstev GaN pomocí monoenergetických, hmotnostně selektivních svazků o velmi nízkých energiích (ME 334)
epitaxial layers ofGaN by mono-energetic mass selective ion beams of very low energies epitaxial GaN layers with low density of defects by this method.......
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 1999 - 2001 •
- 2 225 tis. Kč •
- 1 645 tis. Kč •
- MŠMT
Řešení projektu: 1. 1. 1999 - 1. 1. 2001
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (74%)
Poskytovatel: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
Úloha rozhraní při přípravě Schottkyho bariér vysoké kvality na polovodičích III-V (LD12014)
Příprava struktur kovové nanočástice-polovodič III-V na epitaxních vrstvách různého složení připravených z kapalné a plynné fáze. Charakterizace a modelování tohoto rozhraní a studium optických vlastností. Možnosti aplikace v senzorech vodíku.......
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
- 2012 - 2013 •
- 1 000 tis. Kč •
- 1 000 tis. Kč •
- MŠMT
Řešení projektu: 1. 3. 2012 - 30. 11. 2013
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (100%)
Poskytovatel: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
Atomistické simulace epitaxního růstu mnohasložkových materiálů (OC P3.130)
Modelování fyzikálních mechanismů během epitaxního růstu technologicky důležitých kovových i polovodičových materiálů pomocí rozsáhlých numerických simulací. Bude vyšetřován vliv příměsí na morfologii a kinetiku růstu a počáteční stadia heteroepitaxn...
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 1999 - 2001 •
- 2 030 tis. Kč •
- 785 tis. Kč •
- MŠMT
Řešení projektu: 1. 1. 1999 - 1. 1. 2001
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (39%)
Poskytovatel: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
Elektronové a strukturní vlastnosti trojrozměrných topologických izolantů (GAP204/12/0595)
Trojrozměrné topologické izolanty mají pozoruhodné fyzikální vlastnosti povrchových elektronových stavů. Dosud však bylo provedeno pouze několik experimentů na epitaxních vrstvách. Cílem tohoto projektu je studium elektronových vlastností epitaxních ...
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 2012 - 2014 •
- 4 594 tis. Kč •
- 4 594 tis. Kč •
- GA ČR
Řešení projektu: 1. 1. 2012 - 31. 12. 2014
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (100%)
Poskytovatel: Grantová agentura České republiky
Topologické magnetoplasmony v epitaxním grafénu pro širokopásmové detektory dalekého infračerveného záření (GA19-12052S)
V projektu se budeme zabývat novou třídou plasmonických metamateriálů založených na grafénových nanoproužcích a nanoproužcích rostených na postraních fasetách SiC. Budeme se zaměřovat na grafén formovaný do nanovzorů, které vedou ke vzniku jak topolo...
Materials engineering
- 2019 - 2023 •
- 5 875 tis. Kč •
- 5 229 tis. Kč •
- GA ČR
Řešení projektu: 1. 1. 2019 - 31. 12. 2023
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (89%)
Poskytovatel: Grantová agentura České republiky
Elektronová spektroskopie povrchů epitaxních polovodičových nanosystémů na bázi GaAs (IAA1010108)
Krystalické epitaxní nanosystémy na bázi GaAs (heterostruktury a supermřížky) představující umělé krystaly s unikátními elektrickými vlastnostmi, budou s vysokou čistotou připraveny v ultravysokém vakuu epitaxí z molekulárních svazků (MBE). S využití...
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 2001 - 2003 •
- 4 712 tis. Kč •
- 1 163 tis. Kč •
- AV ČR
Řešení projektu: 1. 1. 2001 - 1. 1. 2003
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (25%)
Poskytovatel: Akademie věd České republiky
Struktura a magnetické vlastnosti epitaxních vrstev GaMnAs (GA202/06/0025)
Magnetické vlastnosti feromagnetických polovodivých epitaxních vrstev GaMnAs jsou určovány jejich strukturou, zejména koncentrací substitučních a intersticiálních atomů Mn. Cílem projektu je studium strukturních vlastností GaMnAs a jejich korelace s ...
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 2006 - 2008 •
- 2 135 tis. Kč •
- 2 135 tis. Kč •
- GA ČR
Řešení projektu: 1. 1. 2006 - 31. 12. 2008
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (100%)
Poskytovatel: Grantová agentura České republiky
Úniková hloubka elektronů z krystalických povrchů (IAA100100628)
Úniková hloubka elektronů, jeden z nejdůležitejších parametrů elektronové spektroskopie a difrakce, bude určena pro pomalé elektrony (pod 50 eV) pro uspořádané systémy na bázi GaAs připravené epitaxí z molekulárních svazků. Její energetická a úhlová ...
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 2006 - 2009 •
- 2 528 tis. Kč •
- 2 528 tis. Kč •
- AV ČR
Řešení projektu: 1. 1. 2006 - 31. 12. 2009
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (100%)
Poskytovatel: Akademie věd České republiky
Experimentální vývoj MOCVD aparatur pro vysokoteplotní růst A(III)B(V) polovodičů a aplikovaný výzkum růstu metal-nitridových epitaxních tenkých vrstev (TH02020926)
- vývoj MOCVD aparatury pro epitaxní růst A(III)B(V) vrstev na substrátech do průměru 100 mm - testování růstu MOCVD epitaxních indium-nitridových vrstev s využitím existující „nízkoteplotní“ MOCVD aparatury na pracovišti CEITEC-VUT na substrátech do...
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 2017 - 2019 •
- 35 026 tis. Kč •
- 20 987 tis. Kč •
- TA ČR
Řešení projektu: 1. 1. 2017 - 31. 12. 2019
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (60%)
Poskytovatel: Technologická agentura ČR
- 1 - 10 z 22