Filtry
Syntéza epitaxních vrstev GaN pomocí monoenergetických, hmotnostně selektivních svazků o velmi nízkých energiích (ME 334)
epitaxial layers ofGaN by mono-energetic mass selective ion beams of very low energies epitaxial GaN layers with low density of defects by this method.......
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 1999 - 2001 •
- 2 225 tis. Kč •
- 1 645 tis. Kč •
- MŠMT
Řešení projektu: 1. 1. 1999 - 1. 1. 2001
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (74%)
Poskytovatel: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
Úloha rozhraní při přípravě Schottkyho bariér vysoké kvality na polovodičích III-V (LD12014)
Příprava struktur kovové nanočástice-polovodič III-V na epitaxních vrstvách různého složení připravených z kapalné a plynné fáze. Charakterizace a modelování tohoto rozhraní a studium optických vlastností. Možnosti aplikace v senzorech vodíku.......
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
- 2012 - 2013 •
- 1 000 tis. Kč •
- 1 000 tis. Kč •
- MŠMT
Řešení projektu: 1. 3. 2012 - 30. 11. 2013
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (100%)
Poskytovatel: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
Elektronové a strukturní vlastnosti trojrozměrných topologických izolantů (GAP204/12/0595)
Trojrozměrné topologické izolanty mají pozoruhodné fyzikální vlastnosti povrchových elektronových stavů. Dosud však bylo provedeno pouze několik experimentů na epitaxních vrstvách. Cílem tohoto projektu je studium elektronových vlastností epitaxních ...
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 2012 - 2014 •
- 4 594 tis. Kč •
- 4 594 tis. Kč •
- GA ČR
Řešení projektu: 1. 1. 2012 - 31. 12. 2014
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (100%)
Poskytovatel: Grantová agentura České republiky
Elektronová spektroskopie povrchů epitaxních polovodičových nanosystémů na bázi GaAs (IAA1010108)
Krystalické epitaxní nanosystémy na bázi GaAs (heterostruktury a supermřížky) představující umělé krystaly s unikátními elektrickými vlastnostmi, budou s vysokou čistotou připraveny v ultravysokém vakuu epitaxí z molekulárních svazků (MBE). S využití...
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 2001 - 2003 •
- 4 712 tis. Kč •
- 1 163 tis. Kč •
- AV ČR
Řešení projektu: 1. 1. 2001 - 1. 1. 2003
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (25%)
Poskytovatel: Akademie věd České republiky
Struktura a magnetické vlastnosti epitaxních vrstev GaMnAs (GA202/06/0025)
Magnetické vlastnosti feromagnetických polovodivých epitaxních vrstev GaMnAs jsou určovány jejich strukturou, zejména koncentrací substitučních a intersticiálních atomů Mn. Cílem projektu je studium strukturních vlastností GaMnAs a jejich korelace s ...
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 2006 - 2008 •
- 2 135 tis. Kč •
- 2 135 tis. Kč •
- GA ČR
Řešení projektu: 1. 1. 2006 - 31. 12. 2008
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (100%)
Poskytovatel: Grantová agentura České republiky
Monokrystaly a epitaxní vrstvy Ce-dotovaných perovskitů a granátů pro scintilační detektory s vysokým prostorovým rozlišením (GA202/05/2471)
Cílem projektu je příprava a studium luminiscenčních a scintilačních vlastností nedopovaných a Ce3+ - dotovaných hlinitých RAIO3 perovskitů a R3AI5O12 granátů (R = Lu-Y) ve formě objemových monokrystalů (s použitím Czochralského metody) nebo tenkých ...
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 2005 - 2007 •
- 2 638 tis. Kč •
- 2 638 tis. Kč •
- GA ČR
Řešení projektu: 1. 1. 2005 - 31. 12. 2007
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (100%)
Poskytovatel: Grantová agentura České republiky
Rtg difraktometrie s vysokým rozlišením náhodných vrstevnatých systémů (GA14-08124S)
Rtg rozptyl na nanostrukturách s užitím širokého svazku měří ansámblově středovanou intenzitu rozptylu, tímto středováním se ztrácí informace o korelaci strukurních parametrů, na druhé straně rozptyl velmi úzkého koherentního svazku umožňuje získat k...
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 2014 - 2016 •
- 4 758 tis. Kč •
- 4 758 tis. Kč •
- GA ČR
Řešení projektu: 1. 1. 2014 - 31. 12. 2016
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (100%)
Poskytovatel: Grantová agentura České republiky
Koherentní rozptyl rtg. záření na jednotlivých defektech v krystalové mřížce (IAA101120805)
Defekty v krystalové mřížce lze studovat mnoha metodami (XRD, TEM, ...). Rozptyl rtg. záření je velmi rozšířenou metodou zejména pro snadnou přípravu vzorku a nedestruktivnost oproti TEM. V současné době se ke studiu defektů používá zejména difuzně r...
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 2008 - 2010 •
- 1 130 tis. Kč •
- 1 130 tis. Kč •
- AV ČR
Řešení projektu: 1. 1. 2008 - 31. 12. 2010
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (100%)
Poskytovatel: Akademie věd České republiky
WISEGaN - New generation of InGaN layers, quantum wells and wires grown on vicinal GaN substrates for optoelectronics and photovoltaics (8F15002)
InGaN layers, quantum wells and wires are the most important parts of such devices as blue/green LEDs, superluminescent LEDs (SLEDs), laser diodes (LDs), and photovoltaic cells. However, InGaN is very difficult to be grown because of low gro...
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 2015 - 2018 •
- 3 480 tis. Kč •
- 3 480 tis. Kč •
- MŠMT
Řešení projektu: 1. 10. 2015 - 31. 12. 2018
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (100%)
Poskytovatel: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
Studium epitaxních jevů ve feroelektrických nanovrstvách pomocí spektrální elipsometrie (GA15-13778S)
Projekt se zabývá experimentálním výzkumem elektronových přechodů v perovskitových epitaxních feroelektrických nanovrstvách. Použití kombinace elipsometrické metody, makroskopického výzkumu feroelektrické polarizace a jiných charakterizačních metod n...
BL - Fyzika plasmatu a výboje v plynech
- 2015 - 2017 •
- 4 730 tis. Kč •
- 4 730 tis. Kč •
- GA ČR
Řešení projektu: 1. 1. 2015 - 31. 12. 2017
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (100%)
Poskytovatel: Grantová agentura České republiky
- 1 - 10 z 150