Filtry
Rychlá zobrazovací stínítka pro ionizující, UV, EUV záření (TH02010580)
Hlavním cílem projektu je vývoj technologií a zhotovení unikátních, dosud nedostupných rychlých (v řádu ns) stínítek z InGaN/GaN s vysokým rozlišením (v řádu desítek nm) pro zobrazení ionizujícího, RTG, UV záření a příprava funkčníc...
BH - Optika, masery a lasery
- 2017 - 2020 •
- 17 322 tis. Kč •
- 10 230 tis. Kč •
- TA ČR
Řešení projektu: 1. 1. 2017 - 31. 12. 2020
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (59%)
Poskytovatel: Technologická agentura ČR
WISEGaN - New generation of InGaN layers, quantum wells and wires grown on vicinal GaN substrates for optoelectronics and photovoltaics (8F15002)
going to develop technology of InGaN epi-structures which will have a high In uniform InGaN 3-dimensional structures with lower defect concentration. In particularInGaN layers, quantum wells and wires are...
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 2015 - 2018 •
- 3 480 tis. Kč •
- 3 480 tis. Kč •
- MŠMT
Řešení projektu: 1. 10. 2015 - 31. 12. 2018
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (100%)
Poskytovatel: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
Struktury pro rychlé, energeticky úsporné a logické obvody založené na GaN (GA25-18221S)
Elektronika založená na GaN je nově se rozvíjející polovodičové odvětví. Očekávané výsledky projektu slibují důležitá zlepšení v GaN-HEMT technologii. Frekvenční vlastnosti součástek pomůže zlepšit nově navrhovaná morfologie AlGaN/<...
Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
- 2025 - 2027 •
- 6 793 tis. Kč •
- 6 752 tis. Kč •
- GA ČR
Řešení projektu: 1. 1. 2025 - 31. 12. 2027
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (99%)
Poskytovatel: Grantová agentura České republiky
Vakance atomů kovů, jejich klastry a komplexy v nitridových polovodičích (GF22-28001K)
Snahou tohoto projektu je nalézt závislost koncentrace vakancí ve vrstvách GaN, InGaN, AlGaN a AlInGaN na parametrech přípravy organokovovou epitaxí. Budou definovány technologické podmínky, za kterých dochází ke tvorbě klastrů vaka...
Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
- 2022 - 2024 •
- 8 870 tis. Kč •
- 8 576 tis. Kč •
- GA ČR
Řešení projektu: 1. 1. 2022 - 31. 12. 2024
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (97%)
Poskytovatel: Grantová agentura České republiky
Nitridové heterostruktury pro rychlou detekci ionizujícího záření (GA16-11769S)
prostorově separovány vlivem polarizace v InGaN kvantových jamách. Budou testovány tři...
JB - Senzory, čidla, měření a regulace
- 2016 - 2019 •
- 3 053 tis. Kč •
- 2 981 tis. Kč •
- GA ČR
Řešení projektu: 1. 1. 2016 - 29. 11. 2019
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (98%)
Poskytovatel: Grantová agentura České republiky
Nová generace houževnatého polystyrenu výzkum vztahu morfologie a aplikačních vlastností hetero-fázových materiálů, vývoj nových jakostních typů a technologie jejich výroby. (FT-TA3/110)
Racionální vývoj nové generace houževnatého polystyrenu se zlepšenými mechanickými a vzhledovými vlastnostmi a technologie přípravy nových jakostních typů. Výzkum se soustředí na přípravu technologie pro výrobu nového vstřikovacího typu houževnatého ...
CI - Průmyslová chemie a chemické inženýrství
- 2006 - 2009 •
- 12 733 tis. Kč •
- 5 849 tis. Kč •
- MPO
Řešení projektu: 1. 4. 2006 - 31. 12. 2009
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (46%)
Poskytovatel: Ministerstvo průmyslu a obchodu
Nanoscintilátory na bázi ultrarychlých luminiscenčních struktur tvořených násobnými kvantovými jamami a komposity (GJ20-05497Y)
InGaN/GaN násobných kvantových jam, ZnO a CsPbBr3 nanostruktur perspektivních...
Nano-materials (production and properties)
- 2020 - 2023 •
- 4 347 tis. Kč •
- 4 347 tis. Kč •
- GA ČR
Řešení projektu: 1. 1. 2020 - 30. 6. 2023
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (100%)
Poskytovatel: Grantová agentura České republiky
Affordable smart GaN IC solutions as enabler of greener applications (9A23004)
O1: Push the limits of industrial GaN devices and system-on-chip approaches for 100V. O2: Leverage the full potential of innovative substrates for GaN. O3: Achieve novel benchmark solutions for lateral GaN devices and integ...
Electrical and electronic engineering
- 2023 - 2026 •
- 40 971 tis. Kč •
- 8 195 tis. Kč •
- MŠMT
Řešení projektu: 1. 5. 2023 - 30. 4. 2026
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (20%)
Poskytovatel: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
Affordable smart GaN IC solutions as enabler of greener applications (9A23005)
O1: Push the limits of industrial GaN devices and system-on-chip approaches for 100V. O2: Leverage the full potential of innovative substrates for GaN. O3: Achieve novel benchmark solutions for lateral GaN devices and integ...
Electrical and electronic engineering
- 2023 - 2026 •
- 7 621 tis. Kč •
- 4 954 tis. Kč •
- MŠMT
Řešení projektu: 1. 5. 2023 - 30. 4. 2026
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (65%)
Poskytovatel: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
GaN for Advanced Power Applications (8A21007)
management with advanced architecture of the art GaN-based High Electron Mobility; 2 highly efficient power transistors; 3) Develop a new generation of vertical power GaN based devices on MOSFET architecture with vertical p-GaN...
Electrical and electronic engineering
- 2021 - 2025 •
- 13 745 tis. Kč •
- 8 936 tis. Kč •
- MŠMT
Řešení projektu: 1. 6. 2021 - 31. 8. 2025
Uznané náklady
Podpora ze státního rozpočtu (65%)
Poskytovatel: Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
- 1 - 10 z 1 908