Filtry
Metrology of epitaxial layers *GaN
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 2014 •
- Vsouhrn
Rok uplatnění
Vsouhrn - Souhrnná výzkumná zpráva
Preparation and measurement of GaN based HEMT structures
Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
- 2017 •
- D
Rok uplatnění
D - Stať ve sborníku
Imaging in NIR *SOI, GaN
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 2014 •
- Vsouhrn
Rok uplatnění
Vsouhrn - Souhrnná výzkumná zpráva
Influence of passivation coating on AlGaN/GaN heterostructure during the diamond CVD
Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
- 2017 •
- D
Rok uplatnění
D - Stať ve sborníku
Origin of the yellow luminescence band in nitride based semiconductors prepared by the MOVPE technology
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 2016 •
- O
Rok uplatnění
O - Ostatní výsledky
Enhancing of the GaN HEMTs Devices through Advanced Innovative Topologies
Electrical and electronic engineering
- 2024 •
- D •
- Odkaz
Rok uplatnění
D - Stať ve sborníku
Výsledek na webu
Piezoelectric response of AlGaN/GaN-based circular-HEMT structures
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
- 2011 •
- Jx •
- Odkaz
Rok uplatnění
Jx - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
Výsledek na webu
Hluboké defekty v heterostrukturách SiC/AlGaN/GaN připravených metodou MOVPE
Heterostruktury SiC/AlGaN/GaN byly zkoumány metodou DLTS s cílem najít souvislost mezi aktivační energií hlubokých hladin a složením vrstvy AlGaN, případně orientací substrátu 4H-SiC......
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 2006 •
- D
Rok uplatnění
D - Stať ve sborníku
Šumová spektroskopie GaN/AlGaN HFET
Noise characteristics of epitaxial n-GaN on sapphire layers and GaN/AlGaN negligible byTLM analysis. The Hooge parameter alfa of epitaxial GaN was 2x10-3 at 300K, gradually decreasing to 10-4 around 50K. For Ga...
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
- 2008 •
- Jx
Rok uplatnění
Jx - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
Oxidized Al Film as an Insulation Layer in AlGaN/GaN Metal?Oxide?Semiconductor Heterostructure Field Effect Transistors
CA - Anorganická chemie
- 2010 •
- Jx
Rok uplatnění
Jx - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
- 1 - 10 z 359