Filtry
Bravais lattice diversity of III-V semiconductors: A comparative study of GaSb(001) and GaAs(001) surface reconstructions
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 2009 •
- O
Rok uplatnění
O - Ostatní výsledky
Stoichiometry and Bravais lattice diversity: an ab initio study of the GaSb(001) surface
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 2009 •
- Jx
Rok uplatnění
Jx - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
Měření SXRD na GaSb(001) rekonstrukce
Povrchově citlivá rtg. difrakce byla se použita pro in situ meření GaSb(001)-(1 x 5) a (1 x 3) fází povrchů. Fáze (1x3) se shoduje s modelem beta-(4x3). Dále, v práci diskutujeme důvody nesouhlasu modelových výpočtů a měření pro mod...
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 2008 •
- Jx
Rok uplatnění
Jx - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
Model pro GaSb(001) (1x3) and c(2x6) fází
Ukázali jsme, že (1x3) a c(2x6) difrakční obrazy naměřené na povrchu GaSb(001) jsou způsobeny neuspořádaností povrchových (4x3) buněk. Buňky tvoří rovnoměrné řady ve směru 4x. Řady jsou vůči sobě vzájemně posunuty....
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 2008 •
- Jx
Rok uplatnění
Jx - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
Growth-rate induced defects in GaSb
Growth-rate induced defects in GaSb...
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 2004 •
- D
Rok uplatnění
D - Stať ve sborníku
Měření nízkofrekvenčního šumu laserových diod GaSb
Měření nízkofrekvenčního šumu laserových diod GaSb...
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 2004 •
- D
Rok uplatnění
D - Stať ve sborníku
Defekty v GaSb vyvolané rychlostí růstu
Metoda DLTS byla použita ke studiu hlubokých defektů, které vznikají v GaSb připraveném vysokou rychlostí růstu epitaxních vrstev...
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 2004 •
- D
Rok uplatnění
D - Stať ve sborníku
Hluboké defekty určující transport v GaSb připraveném metodou MOVPE
Metoda transientní spektroskopie hlubokých hladin byla použita k přímému pozorování defektů ve vrstvách GaSb připravených pomocí MOVPE při různých rychlostech růstu......
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 2006 •
- Jx
Rok uplatnění
Jx - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
Noise as characterization for GaSb-based laser diodes prepared by molecular beam epitaxy
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
- 2010 •
- Jx
Rok uplatnění
Jx - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
Photoelectric and luminescence properties of GaSb-based nanoheterostructures with a deep Al(As)Sb/InAsSb/Al(As)Sb quantum well grown by metalorganic vapor-phase epitaxy
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 2013 •
- Jx •
- Odkaz
Rok uplatnění
Jx - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
Výsledek na webu
- 1 - 10 z 325