Filtry
Stoichiometry and Bravais lattice diversity: an ab initio study of the GaSb(001) surface
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 2009 •
- Jx
Rok uplatnění
Jx - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
Měření SXRD na GaSb(001) rekonstrukce
Povrchově citlivá rtg. difrakce byla se použita pro in situ meření GaSb(001)-(1 x 5) a (1 x 3) fází povrchů. Fáze (1x3) se shoduje s modelem beta-(4x3). Dále, v práci diskutujeme důvody nesouhlasu modelových výpočtů a měření pro mod...
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 2008 •
- Jx
Rok uplatnění
Jx - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
Bravais lattice diversity of III-V semiconductors: A comparative study of GaSb(001) and GaAs(001) surface reconstructions
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 2009 •
- O
Rok uplatnění
O - Ostatní výsledky
Model pro GaSb(001) (1x3) and c(2x6) fází
Ukázali jsme, že (1x3) a c(2x6) difrakční obrazy naměřené na povrchu GaSb(001) jsou způsobeny neuspořádaností povrchových (4x3) buněk. Buňky tvoří rovnoměrné řady ve směru 4x. Řady jsou vůči sobě vzájemně posunuty....
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 2008 •
- Jx
Rok uplatnění
Jx - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
Stabilization of semiconductor surface reconstructions by configurational entropy
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 2010 •
- Jx
Rok uplatnění
Jx - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
Intense interface luminescence in type II narrow-gap InAs-based heterostructures at room temperature
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 2010 •
- Jx •
- Odkaz
Rok uplatnění
Jx - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
Výsledek na webu
Layer-resolved photoelectron diffraction from Si(001) and GaAs(001)
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 2012 •
- Jx •
- Odkaz
Rok uplatnění
Jx - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
Výsledek na webu
Optical Characterization of the VCSEL Diodes Based on GaSb
CF - Fyzikální chemie a teoretická chemie
- 2011 •
- D •
- Odkaz
Rok uplatnění
D - Stať ve sborníku
Výsledek na webu
Etching behavior of GaAs, GaSb, InAs, and InSb in aqueous H2O2-HBr-ethylene glycol solutions
CA - Anorganická chemie
- 2012 •
- Jx •
- Odkaz
Rok uplatnění
Jx - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
Výsledek na webu
Vliv kinetiky na povrchovou rekonstrukci GaAs(001)
Vliv kinetiky na povrchovou rekonstrukci GaAs(001)...
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 2004 •
- Jx
Rok uplatnění
Jx - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
- 1 - 10 z 14 299