Filtry
Devices based on InGaN/GaN multiple quantum well for scintillator and detector applications
Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
- 2017 •
- D •
- Odkaz
Rok uplatnění
D - Stať ve sborníku
Výsledek na webu
Optical Properties of Gallium Nitride Layers Doped with Erbium and Erbium + Ytterbium Ions
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
- 2009 •
- D
Rok uplatnění
D - Stať ve sborníku
Tenké vrstvy nitridu gallitého obsahující erbium
Tenké vrstvy nitridu gallitého obsahující erbium...
CA - Anorganická chemie
- 2004 •
- D
Rok uplatnění
D - Stať ve sborníku
Není k dispozici
Není k dispozici...
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
- 2006 •
- A
Rok uplatnění
A - Audiovizuální tvorba
Rapid thermal synthesis of GaN nanocrystals and nanodisks
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 2013 •
- Jx •
- Odkaz
Rok uplatnění
Jx - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
Výsledek na webu
New method for the in situ determination of AlxGa1-xN composition in MOVPE by real-time optical reflectance
CA - Anorganická chemie
- 2006 •
- Jx
Rok uplatnění
Jx - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
Effect of carrier gas on GaN epilayer characteristics
CA - Anorganická chemie
- 2006 •
- Jx
Rok uplatnění
Jx - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
Gallium nitride planar waveguides fabricated by magnetron sputtering
CA - Anorganická chemie
- 2003 •
- D
Rok uplatnění
D - Stať ve sborníku
Není k dispozici
Není k dispozici...
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
- 2005 •
- D
Rok uplatnění
D - Stať ve sborníku
Effect of Fe doping on the terahertz conductivity of GaN single crystals
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 2010 •
- Jx
Rok uplatnění
Jx - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
- 1 - 10 z 997