Filtry
Kompaktní rídící obvod InGaAs detektoru pro čítání fotonů
Kompaktní rídící obvod InGaAs detektoru pro čítání fotonů...
JB - Senzory, čidla, měření a regulace
- 2007 •
- D
Rok uplatnění
D - Stať ve sborníku
Řídící obvod InGaAs detektoru fotonů pro kvantovou kryptografii
Řídící obvod InGaAs detektoru fotonů pro kvantovou kryptografii...
JB - Senzory, čidla, měření a regulace
- 2007 •
- X
Rok uplatnění
X - Nezařazeno
Ultrafast carrier response of Br+ -irradiated In0.53Ga0.47As excitedat telecommunication wavelengths
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 2012 •
- Jx •
- Odkaz
Rok uplatnění
Jx - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
Výsledek na webu
Studium tvaru, deformace a interdifúze v InGaAs kvantových prstencích pomocí grazing-incidence rtg difrakce
Studium tvaru, deformace a interdifúze v InGaAs kvantových prstencích pomocí grazing-incidence rtg difrakce...
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 2006 •
- Jx
Rok uplatnění
Jx - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
Noise sources in interface between mono-crystalline and amorphous semiconductors
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
- 2013 •
- D
Rok uplatnění
D - Stať ve sborníku
Quantum dots grown by metal-organic vapot phase epitax
Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
- 2020 •
- D
Rok uplatnění
D - Stať ve sborníku
Ne-Poissonovský proces v šumu typu RTS
RTS šum byl měřen v různých polovodičových součástkách - Si MOSFET a GaN/AlGaN a InGaAs/InAlAs heterostrukturách. Statistická analýza šumu RTS v případě InGaAs vzorku prokázala korelaci délek sousedních pulsů....
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
- 2007 •
- D
Rok uplatnění
D - Stať ve sborníku
Photon counting detector package based on InGaAs/InP avalanche structure for laser ranging applications
Optics (including laser optics and quantum optics)
- 2020 •
- Jimp •
- Odkaz
Rok uplatnění
Jimp - Článek v periodiku v databázi Web of Science
Výsledek na webu
Low-Frequency Noise Characteristics of InGaAs/InAlAs Heterostructures
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
- 2009 •
- Jx
Rok uplatnění
Jx - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
GaAsSb/InAs/(In)GaAs type II quantum dots for solar cell applications
Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
- 2017 •
- Jimp •
- Odkaz
Rok uplatnění
Jimp - Článek v periodiku v databázi Web of Science
Výsledek na webu
- 1 - 10 z 50