Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Filtry

217 (0,071s)

Výsledek výzkumu

Budící obvody pro MOSFETový měnič

Toto zařízení zajišťuje správné a rychlé zapínání a vypínání MOSFET tranzistorů.

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • 2011
  • Gfunk
Výsledek výzkumu

Výpočet chyby přenosu MOSFET spínače.

Jednoduchá rovnice pro popis chyby impedance MOSFET spínače...

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • 2005
  • D
Výsledek výzkumu

Comparison of MOSFET Gate Waffle Patterns Based on Specific On-Resistance

Electrical and electronic engineering

  • 2019
  • Jimp
  • Odkaz
Výsledek výzkumu

Vysokofrekvenční transport elektronů ve zjednodušeném modelu balistického tranzistoru MOSFET

Zjednodušený model balistického tranzistoru MOSFET se stejnosmerným předpětím a malým vf signálem...

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • 2004
  • D
Výsledek výzkumu

Limity použitelnosti tranzistorů MOSFET v nanotechnologiích

Limity použitelnosti tranzitoru MOSFET v oblasti nanotechnologií...

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • 2004
  • D
Výsledek výzkumu

Univerzální budič tranzistorů IGBT a MOSFET

Jedná se o integrované řešení driverů pro třífázový střídač s tranzistory IGBT nebo MOSFET.

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • 2016
  • Gfunk
  • Odkaz
Výsledek výzkumu

Sada měřicích přípravků pro měření a demonstraci parametrů tranzistorů MOSFET

Konstrukce přípravků pro výuku pro demonstraci vlastností a základních parametrů výkonových MOSFETů. Přípravky umožňují měření převodních charakteristik, statických a dynamických parametrů a charakteristiky parazitních struktur....

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • 2011
  • Gfunk
Výsledek výzkumu

Nanorozměrový dvou-hradlový tranzistor typu MOSFET.

Tato práce se zabývá problematikou dvou-hradlového tranzistoru typu MOSFET, pracujícího na základě McKelveyho teorie toků.

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • 2005
  • D
Výsledek výzkumu

SiC deska pro MOSFET aplikace (leštěná)

Materials engineering

  • 2023
  • Gfunk
  • Odkaz
Výsledek výzkumu

Modul driverů IGBT a MOSFET

Jedná se o jednokanálový budič IGBT a MOSFET tranzistorů. Plošný spoj je navržen tak, aby bylo možné jednoduše uživatelsky osazením konkrétních součástek přizpůsobit modul konkrétní aplikaci, např. různé typy tranzistorů (MOSFET, IG...

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • 2016
  • Gfunk
  • Odkaz
  • 1 - 10 z 217