Filtry
Bulk-driven napěťový atenuátor
Bulk-driven napěťový atenuátor obsahuje dva PMOS tranzistory kaskádově zapojené mezi napájecím napětím a zemí. Elektroda drain prvního tranzistoru je propojena s elektrodou source druhého tranzistoru, napájecí napětí je při...
Electrical and electronic engineering
- 2018 •
- P •
- Odkaz
Rok uplatnění
P - Patent
Výsledek na webu
Tranzistorový měnič jednokvadrantový 300V/80A, s tranzistorem IGBT.
Laboratorní přípravek pro výuku výkonové elektroniky: Tranzistorový měnič jednokvadrantový 300V/80A, osazený tranzistorem IGBT a doplněný odlehčovacím obvodem pro odlehčení vypínacího děje....
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
- 2005 •
- X
Rok uplatnění
X - Nezařazeno
Nízkonapěťový tranzistor DTMOS
Nízkonapěťový tranzistor DTMOS...
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
- 2008 •
- D
Rok uplatnění
D - Stať ve sborníku
Proudová zrcadla s unipolárními tranzistory
Proudová zrcadla s unipolárními tranzistory...
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
- 2000 •
- Jx
Rok uplatnění
Jx - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
Mikrovlnné tranzistory
Příspěvek obsahuje detailní rozbor současných technologií výroby mikrovlnných tranzistorů.
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
- 2008 •
- A
Rok uplatnění
A - Audiovizuální tvorba
Jednoelektronový tranzistor: princip a simulace ve Spice
V článku jsou stručně popsány nové fyzikální jevy a princip činnosti jednoelektronového tranzistoru. Rovněž jsou prezentovány výsledky simulací charakteristik tranzistoru a vlastností invertoru v simulátoru AIM-Spice....
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
- 2006 •
- D
Rok uplatnění
D - Stať ve sborníku
Kaskódové zesilovače s bipolárními a unipolárními tranzistory
Studium a simulace tří různých typů kaskódových zesilovačů, BJT-BJT, FET-BJT, FET-FET, klasické a modifikované zapojení...
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
- 2007 •
- D
Rok uplatnění
D - Stať ve sborníku
Model poruch v oxidu pro tranzistor MOS
Model poruch v oxidu pro tranzistor MOS...
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
- 2008 •
- D
Rok uplatnění
D - Stať ve sborníku
Výkonové polovodičové spínací součástky
Učební text obsahuje základy teorie polovodičů, základní třídění a přehled výkonových polovodičových spínacích součástek, bipolární tranzistory, výkonové diody, tyristory, vypínatelné tyristory GTO, triaky, tranzistory MOS-FET, ...
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
- 2014 •
- O
Rok uplatnění
O - Ostatní výsledky
Analysis of Finfet Characteristics with Gate Length Scalling
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
- 2014 •
- D •
- Odkaz
Rok uplatnění
D - Stať ve sborníku
Výsledek na webu
- 1 - 10 z 449