Filtry
Transport and Noise Characteristics of CdTe Sensors
have been carried out. There are three different 1/f noise sources; bulk and surface 1/f which is proportional to square of current and contact 1/f noise with samples, ...
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
- 2005 •
- D
Rok uplatnění
D - Stať ve sborníku
Nízkofrekvenční šum v krystalech CdTe
Článek pojednává o experimentálním studiu transportu a šumových charakteristik v objemu krastalů CdTe. Šumové charakteristiky jsou mírou kvality povrchu vzorků a jejich kontaktů. Jako indikátor spolehlivosti jsme vybrali 1/f šum, kt...
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
- 2005 •
- D
Rok uplatnění
D - Stať ve sborníku
Zdroje šumu v detektorech CdTe
Zdroje šumu a transport nosičů v detektorech záření na bázi CdTe...
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
- 2007 •
- D
Rok uplatnění
D - Stať ve sborníku
*Využití transportních a šumových charakteristik pro testování kvality fotovoltaických článků
*viz anotace v angličtině...
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
- 2003 •
- Jx
Rok uplatnění
Jx - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
Šum 1/f jako indikátor povrchových a kontaktních vlastností fotovodivých látek
Šumová měření nám umožňují určit kvalitu fotovodivých materiálů, zejména kvalitu povrchu materiálu a elektrických kontaktů. Indikátorem kvality je šum typu 1/f. Při osvětlování materiálu je tento šum generován....
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
- 2003 •
- D
Rok uplatnění
D - Stať ve sborníku
Using Fourier Transform to 1/f noise analysis of electric components
Using Fourier Transform to 1/f noise analysis of electric components...
JN - Stavebnictví
- 2007 •
- D
Rok uplatnění
D - Stať ve sborníku
Stochastic model for random tegraph signals in MOSFETS
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
- 2003 •
- D
Rok uplatnění
D - Stať ve sborníku
RTS in Submicron MOSFETs: Lateral Field Effect and Active Trap Position
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
- 2009 •
- Jx
Rok uplatnění
Jx - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
Scaling of RTS Noise in MOSFETs
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
- 2008 •
- D
Rok uplatnění
D - Stať ve sborníku
Noise Spectroscopy of Traps in MOSFETs
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
- 2008 •
- D
Rok uplatnění
D - Stať ve sborníku
- 1 - 10 z 52 526