isvav_result

publication_year

occurrences__organization__code

solver__id__sc2

result_type__code

Druh výsledku je určen klasifikací RIV, která je oficálním číselníkem IS VaVaI. Stručný přehled výsledků dle RIV je uveden <a href="https://www.vyzkum.cz/FrontClanek.aspx?idsekce=1395" target="_blank" >zde</a>.

language__code

Jazyk výsledku udáva původní jazyk, ve kterém byl daný výsledek vytvořen. Kompletní seznam jazyků ve kterém je možno výsledek do RIV předložit je <a href="https://www.vyzkum.cz/FrontClanek.aspx?idsekce=1397" target="_blank" >zde</a>.

cep__code

ford__code

_group_id67

occurrences__funder__code

Dodavatel dat je poskytovatel podpory na VaV, s jejíž pomocí bylo výsledku dosaženo.

project__programme__code

x_range_count_solvers

project__id

Co hledáte?

Rychlé hledání

Chytré vyhledávání

Filtry

GaP-on-Si heterointerfaces and quasisubstrate growth studied in situ during MOVPE

GaP-on-Si(100) heterointerfaces studied in situ

A combined in situ RAS, in vacuo XPS and ab initio DFT study of the GaP/Si(100) heterointerface

III/V-on-Si interfaces: optical in situ control, surface science and DFT

Atomic and electronic structure of GaP/Si(111), GaP/Si(110), and GaP/Si(113) interfaces and superlattices studied by density functional theory

Time-resolved in situ spectroscopy during formation of the GaP/Si(100) heterointerface

In situ cross-linking construction of 3D mesoporous bimetallic phosphide-in-carbon superstructure with atomic interface toward enhanced sodium ion storage performance

Interface-engineered MoS2/C nanosheet heterostructure arrays for ultra-stable sodium-ion batteries

Electroluminescence in a semimetal channel at a single broken-gap heterointerface of type II.

Ab initio density functional theory study on the atomic and electronic structure of GaP/Si(001) heterointerfaces