Filtry
Zobrazit více
Zobrazit více
Zobrazit více
Zobrazit více
Zobrazit více
Zobrazit více
Zobrazit více
Zobrazit více
Zobrazit více
Více filtrů
Výsledky výzkumu
Accurate control of recombination centre introduction in silicon
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 2003 •
- D
Rok uplatnění
D - Stať ve sborníku
A New Degree of Freedom in Diode Optimization: Arbitrary Axial Lifetime Profiles by Means of Ion Irradiation
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
- 2000 •
- D
Rok uplatnění
D - Stať ve sborníku
Advanced Local Lifetime Control for Higher Reliability of Power Devices
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
- 2003 •
- A
Rok uplatnění
A - Audiovizuální tvorba
New Recombination Centers for Modern Power Electronics
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 2000 •
- D
Rok uplatnění
D - Stať ve sborníku
Lifetime Engineering in High-Power Devices
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
- 2000 •
- D
Rok uplatnění
D - Stať ve sborníku
Effect of Defects Produced by MeV H and He Ion Implantation on Characteristics of Power Silicon P-i-N Diodes
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 2000 •
- D
Rok uplatnění
D - Stať ve sborníku
Není k dispozici
Není k dispozici...
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
- 2004 •
- Jx
Rok uplatnění
Jx - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
Není k dispozici
Není k dispozici...
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
- 2004 •
- D
Rok uplatnění
D - Stať ve sborníku
Electrical Parameter Variation of PT-IGBT by Backside Proton Irradiation
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
- 2003 •
- D
Rok uplatnění
D - Stať ve sborníku
Analysis of Excess Carrier Concentration Control in Fast-Recovery High Power Bipolar Diodes at Low Current Densities
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
- 2010 •
- Jx
Rok uplatnění
Jx - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
- 1 - 10 z 18 013