Filtry
Accurate control of recombination centre introduction in silicon
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 2003 •
- D
Rok uplatnění
D - Stať ve sborníku
A New Degree of Freedom in Diode Optimization: Arbitrary Axial Lifetime Profiles by Means of Ion Irradiation
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
- 2000 •
- D
Rok uplatnění
D - Stať ve sborníku
Advanced Local Lifetime Control for Higher Reliability of Power Devices
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
- 2003 •
- A
Rok uplatnění
A - Audiovizuální tvorba
New Recombination Centers for Modern Power Electronics
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 2000 •
- D
Rok uplatnění
D - Stať ve sborníku
Lifetime Engineering in High-Power Devices
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
- 2000 •
- D
Rok uplatnění
D - Stať ve sborníku
Effect of Defects Produced by MeV H and He Ion Implantation on Characteristics of Power Silicon P-i-N Diodes
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
- 2000 •
- D
Rok uplatnění
D - Stať ve sborníku
Není k dispozici
Není k dispozici...
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
- 2004 •
- Jx
Rok uplatnění
Jx - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
Není k dispozici
Není k dispozici...
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
- 2004 •
- D
Rok uplatnění
D - Stať ve sborníku
Electrical Parameter Variation of PT-IGBT by Backside Proton Irradiation
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
- 2003 •
- D
Rok uplatnění
D - Stať ve sborníku
Analysis of Excess Carrier Concentration Control in Fast-Recovery High Power Bipolar Diodes at Low Current Densities
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
- 2010 •
- Jx
Rok uplatnění
Jx - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
- 1 - 10 z 18 824