Laser photochemistry of (chloromethyl)silane and silacyclo-pent-3-ene for chemical vapour deposition of Si/C/H and Si/H phases
Project goals
The research will address infrared laser-induced decomposition of (chloromethyl)silane and silacyclopen-3-ene carried out as both IR laser multiphoton decomposition and IR laser photosensitized (SF6) decomposition. Chemistry taking place in the gas phasewill be studied in conjunction with properties of solid films deposited from the gas phase on various substrates.It is expected to that the above processes will occur via pathways not achievevable in conventional thermal chemistry and that the obtained deposits will exhibit promising properties (optical gap, morphology, stoichiometry) which will qualify them for use in microelectronics.The IR laser-induced decompositions will be examined at different conditions (pressure, fluence, effect of inert gas) in order to determine the dependence of their course on these conditions and to optimize these processes for chemical vapour deposition of films which are in demand.
Keywords
Public support
Provider
Czech Science Foundation
Programme
Standard projects
Call for proposals
Standardní projekty 1 (SGA02002GA-ST)
Main participants
Ústav chemických procesů AV ČR, v. v. i.
Contest type
VS - Public tender
Contract ID
—
Alternative language
Project name in Czech
Laserová fotochemie chlormetylsilanu a silacyklopent-3-enu pro chemickou deposici Si/C/H a Si/H fází z plynné fáze
Annotation in Czech
Výzkum se bude zabývat rozkladem chlormetylsilanu a 3-silacyklopentenu iniciovaným zářením IČ laseru jako infračervený mnohafotonový rozklad a fotosenzibilovaný (SF6) rozklad.Chemické reakce probíhající v plynné fázi budou studovány ve spojitosti s vlastnostmi pevných filmů deponovaných z plynné fáze na různé substráty.Lze očekávat, že výše uvedené procesy budou probíhat reakčními cestami, které nelze uskutečnit v konvenční tepelné chemii a že získané deposity budou mít slibné vlastnosti (optický přechod, morfologie, stechiometrie), které je budou kvalifikovat pro použití v mikroelektronice.IČ laserově iniciované rozklady budou studovány při různých podmínkách (tlak, dávka záření, vliv inertního plynu) a to dovolí zjistit závislost průběhu rozkladů natěchto podmínkách a optimalizovat oba procesy pro chemickou deposici matriálů o požadovaných vlastnostech.
Scientific branches
Completed project evaluation
Provider evaluation
U - Uspěl podle zadání (s publikovanými či patentovanými výsledky atd.)
Project results evaluation
Experimentálně náročný výzkum vyžadující špičkovou instrumentální techniku, byl zaměřen na objasnění mechanismu a charakteristiku různých plynných produktů, meziproduktů i finálních deponovaných tenkých organokřemičitých vrstev při laserové pyrolýze či k
Solution timeline
Realization period - beginning
Jan 1, 2000
Realization period - end
Jan 1, 2001
Project status
U - Finished project
Latest support payment
—
Data delivery to CEP
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Data delivery code
CEP/2002/GA0/GA02GA/U/N/7:3
Data delivery date
Apr 1, 2003
Finance
Total approved costs
1,995 thou. CZK
Public financial support
1,236 thou. CZK
Other public sources
1,382 thou. CZK
Non public and foreign sources
0 thou. CZK
Basic information
Recognised costs
1 995 CZK thou.
Public support
1 236 CZK thou.
61%
Provider
Czech Science Foundation
CEP
CH - Nuclear and quantum chemistry, photo chemistry
Solution period
01. 01. 2000 - 01. 01. 2001