Mapping at a high spatial resolution of the local density of electron states via reflection of very slow electrons

Provider

Czech Science Foundation

Programme

Standard projects

Call for proposals

Standardní projekty 6 (SGA02004GA-ST)

Main participants

—

Contest type

VS - Public tender

Contract ID

—

Project name in Czech

Mapování lokální hustoty stavů pomocí odrazu velmi pomalých elektronů při vysokém prostorovém rozlišení

Annotation in Czech

Při dopadu velmi pomalých elektronů o energii pod 20 - 30 eV na povrch pevné látky je míra jejich odrazu nepřímo úměrná lokální hustotě elektronových stavů, navázaných na dopadající vlnu. Sledováním odrazu lze tedy studovat strukturu energiových pásů v místě dopadu. Tento jev, experimentálně ověřený v oblasti difrakce pomalých elektronů, bude zkoumán ve své mikroskopické verzi s vysokým rozlišením a využit při studiu struktur s místními rozdíly v elektronických vlastnostech. Řízení energie dopadu elektronů v rastrovacím elektronovém mikroskopu a udržení vysokého rozlišení obrazu až do nejnižších energií umožní princip proměnné energie svazku s bržděním těsně nad povrchem v katodové čočce. Budou provedeny základní demonstrační experimenty a prokázána existence příslušného kontrastního mechanismu. Metoda pak bude aplikována na zobrazování hustoty rozložení dopantů v polovodiči při energii odpovídající příměsové hladině, kdy dochází ke snížení odrazu úměrně počtu příměsových atomů.

R&D category

ZV - Basic research

CEP classification - main branch

BM - Solid-state physics and magnetism

CEP - secondary branch

JA - Electronics and optoelectronics

CEP - another secondary branch

JB - Sensors, detecting elements, measurement and regulation

OECD FORD - equivalent branches <br>(according to the <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">converter</a>)

10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)<br>20201 - Electrical and electronic engineering

Provider evaluation

U - Uspěl podle zadání (s publikovanými či patentovanými výsledky atd.)

Project results evaluation

Results achieved when solving the project include: - method of acquiring in very low energy scanned electron micrographs the contrast of electronic structure of the sample has been experimentally demonstrated, both with doped areas in semiconductors and

Realization period - beginning

Jan 1, 2004

Realization period - end

Jan 1, 2006

Project status

U - Finished project

Latest support payment

—

Confidentiality

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Data delivery code

CEP07-GA0-GA-U/03:2

Data delivery date

Oct 16, 2007

Total approved costs

2,658 thou. CZK

Public financial support

1,658 thou. CZK

Other public sources

0 thou. CZK

Non public and foreign sources

1,500 thou. CZK